[發(fā)明專利]射頻開(kāi)關(guān)電路和射頻開(kāi)關(guān)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810322634.7
• 申請(qǐng)日: 2018-04-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110365360B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H04B1/401
• 分類號(hào): H04B1/401;H04B1/44;H04B1/525
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

本發(fā)明提供一種射頻開(kāi)關(guān)電路和射頻開(kāi)關(guān)裝置，本發(fā)明的射頻開(kāi)關(guān)電路中，每個(gè)第一導(dǎo)電類型MOS晶體管的源漏之間串聯(lián)一個(gè)源漏電阻，可以防止任何直流電壓從所述第一導(dǎo)電類型MOS晶體管流過(guò)，這有助于確保每個(gè)處于關(guān)斷狀態(tài)的第一導(dǎo)電類型MOS管的電壓壓降均勻分布；每個(gè)第一導(dǎo)電類型MOS晶體管的柵體之間增加一個(gè)導(dǎo)電類型相反且采用二極管接法的第二導(dǎo)電類型MOS晶體管，可以減小寄生電容對(duì)線性度的影響，同時(shí)避免射頻信號(hào)向偏置電路的泄漏，提高每個(gè)第一導(dǎo)電類型MOS晶體管的功率處理能力，降低射頻開(kāi)關(guān)電路的插入損耗，提高射頻開(kāi)關(guān)電路的線性度和隔離性能。本發(fā)明的射頻開(kāi)關(guān)裝置，由于采用了本發(fā)明的射頻開(kāi)關(guān)電路。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及射頻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻開(kāi)關(guān)電路和射頻開(kāi)關(guān)裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)，自從手持式無(wú)線通信設(shè)備被引入到公眾平臺(tái)，無(wú)線通信產(chǎn)業(yè)發(fā)生了爆炸性增長(zhǎng)。射頻開(kāi)關(guān)作為無(wú)線通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵模塊，猶如發(fā)射路徑和接收路徑的橋梁，有選擇的把發(fā)射機(jī)或接收機(jī)與天線連接，使收發(fā)支路可以工作在同一個(gè)頻率范圍，并防止接收支路與發(fā)射支路的大功率信號(hào)相互干擾，目前幾乎每一個(gè)無(wú)線應(yīng)用產(chǎn)品，如移動(dòng)電話、WLAN、WIMAX、GPS導(dǎo)航系統(tǒng)、藍(lán)牙配件及遙控車門開(kāi)關(guān)(RKE)等，都需要用到射頻開(kāi)關(guān)，無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展也為射頻開(kāi)關(guān)的性能提高帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，如更低的插入損耗、更高的隔離性能、更大的線性度、更小的尺寸以及更廉價(jià)的成本等。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種射頻開(kāi)關(guān)電路和射頻開(kāi)關(guān)裝置，能夠具有更低的插入損耗以及更高的線性度和隔離性能。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種射頻開(kāi)關(guān)電路，包括至少一個(gè)射頻信號(hào)通路，所述射頻通路包括用于輸入射頻信號(hào)的信號(hào)輸入端、用于輸出射頻信號(hào)的信號(hào)輸出端以及至少一條支路，所述支路為設(shè)置在所述信號(hào)輸入端和所述信號(hào)輸出端之間的串聯(lián)支路或者為設(shè)置在所述信號(hào)輸入端和地之間或所述信號(hào)輸出端和地之間的并聯(lián)支路；所述支路包括一個(gè)第一導(dǎo)電類型MOS晶體管或者多個(gè)依次源漏相接而堆疊的第一導(dǎo)電類型MOS晶體管；每個(gè)所述的第一導(dǎo)電類型MOS晶體管的源端和漏端之間串聯(lián)有一個(gè)源漏電阻，每個(gè)所述的第一導(dǎo)電類型MOS晶體管的柵端和體端之間連接一個(gè)導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型MOS晶體管相反的第二導(dǎo)電類型MOS晶體管，所述第二導(dǎo)電類型MOS晶體管的源端與所述第一導(dǎo)電類型MOS晶體管的體端連接，所述第二導(dǎo)電類型MOS晶體管的漏端分別與所述第二導(dǎo)電類型MOS晶體管的柵端以及所述第一導(dǎo)電類型MOS晶體管的柵端連接。

可選的，所述第一導(dǎo)電類型MOS晶體管為N型MOS晶體管，所述第二導(dǎo)電類型MOS晶體管為P型MOS晶體管。

可選的，每個(gè)所述的第一導(dǎo)電類型MOS晶體管的柵端連接一個(gè)所述柵極電阻。

可選的，所述支路還包括一個(gè)分壓電阻，所述分壓電阻一端與所述支路上的所有柵極電阻連接，另一端接入一控制電壓。

可選的，所述源漏電阻的阻值小于或等于所述柵極電阻的阻值。

可選的，所述源漏電阻的阻值大于或等于10千歐姆；所述柵極電阻的阻值大于或等于10千歐姆。

可選的，所述射頻信號(hào)通路用于接收外部的射頻信號(hào)或者向外發(fā)射射頻信號(hào)，用于向外發(fā)射射頻信號(hào)的所述射頻信號(hào)通路的所有支路中的第一導(dǎo)電類型MOS晶體管的數(shù)量均等于8，用于接收外部的射頻信號(hào)的所述射頻信號(hào)通路的所有支路中的第一導(dǎo)電類型MOS晶體管的串聯(lián)數(shù)量均等于10。