[發明專利]射頻開關電路和射頻開關裝置

有效

• 申請號: 201810322634.7
• 申請日: 2018-04-11
• 公開（公告）號: CN110365360B
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 孫浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H04B1/401
• 分類號: H04B1/401;H04B1/44;H04B1/525
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種射頻開關電路，其特征在于，包括至少一個射頻信號通路，所述射頻信號通路包括用于輸入射頻信號的信號輸入端、用于輸出射頻信號的信號輸出端以及至少一條支路，所述支路為設置在所述信號輸入端和所述信號輸出端之間的串聯支路，或，所述支路為設置在所述信號輸入端和地之間或所述信號輸出端和地之間的并聯支路；所述支路包括一個第一導電類型MOS晶體管或者多個依次源漏相接而堆疊的第一導電類型MOS晶體管；每個所述的第一導電類型MOS晶體管的源端和漏端之間串聯有一個源漏電阻，每個所述的第一導電類型MOS晶體管的柵端和體端之間連接一個導電類型與所述第一導電類型MOS晶體管相反的第二導電類型MOS晶體管，所述第二導電類型MOS晶體管的源端與所述第一導電類型MOS晶體管的體端連接，所述第二導電類型MOS晶體管的漏端分別與所述第二導電類型MOS晶體管的柵端以及所述第一導電類型MOS晶體管的柵端連接；每個所述的第一導電類型MOS晶體管的柵端連接一個柵極電阻，所述源漏電阻的阻值大于或等于10千歐姆，所述柵極電阻的阻值大于或等于10千歐姆，所述源漏電阻的阻值等于或小于所述柵極電阻的阻值。

2.如權利要求1所述的射頻開關電路，其特征在于，所述第一導電類型MOS晶體管為N型MOS晶體管，所述第二導電類型MOS晶體管為P型MOS晶體管。

3.如權利要求1所述的射頻開關電路，其特征在于，所述支路還包括一個分壓電阻，所述分壓電阻一端與所述支路上的所有柵極電阻連接，另一端接入一控制電壓。

4.如權利要求1所述的射頻開關電路，其特征在于，所述射頻信號通路用于接收外部的射頻信號或者向外發射射頻信號，用于向外發射射頻信號的所述射頻信號通路的所有支路中的第一導電類型MOS晶體管的數量均等于8，用于接收外部的射頻信號的所述射頻信號通路的所有支路中的第一導電類型MOS晶體管的串聯數量均等于10。

5.如權利要求1至4中任一項所述的射頻開關電路，其特征在于，所述射頻開關電路為單刀雙擲射頻收發開關電路，具有公共信號輸入/輸出端、第一信號輸入端和第一信號輸出端，所述第一信號輸入端用于向所述公共信號輸入/輸出端發送射頻信號，所述公共信號輸入/輸出端既是一個用于將所述第一信號輸入端輸入的射頻信號向外發送的信號輸出端，也是一個用于接收外部的射頻信號并將接收的所述外部的射頻信號傳輸至所述第一信號輸出端的信號輸入端；所述射頻開關電路包括兩個射頻信號通路，一個射頻信號通路設置在所述公共信號輸入/輸出端和第一信號輸入端之間，另一個射頻信號通路設置在所述公共信號輸入/輸出端和第一信號輸出端之間。

6.如權利要求5所述的射頻開關電路，其特征在于，兩個所述射頻信號通路均包括一條串聯支路和一條并聯支路，當所述射頻開關電路通過所述公共信號輸入/輸出端向外發送射頻信號時，設置在所述公共信號輸入/輸出端和第一信號輸入端之間的射頻信號通路的串聯支路導通且并聯支路導通或關閉，設置在所述公共信號輸入/輸出端和第一信號輸出端之間的射頻信號通路的串聯支路關閉且并聯支路導通或關閉；當所述射頻開關電路通過所述公共信號輸入/輸出端接收外部的射頻信號時，設置在所述公共信號輸入/輸出端和第一信號輸入端之間的射頻信號通路的串聯支路關閉且并聯支路導通或關閉，設置在所述公共信號輸入/輸出端和第一信號輸出端之間的射頻信號通路的串聯支路導通且并聯支路導通或關閉。

7.一種射頻開關裝置，其特征在于，包括：

如權利要求1至6中任一項所述的射頻開關電路；以及

用于向所述射頻開關電路的射頻信號通路提供控制電壓的電壓產生電路。

8.如權利要求7所述的射頻開關裝置，其特征在于，所述電壓產生電路提供的控制電壓包括至少一種正電壓和至少一種負電壓。

9.如權利要求7所述的射頻開關裝置，其特征在于，所述射頻開關裝置為信號發射機或者信號接收機或者信號收發機，還包括與所述射頻開關電路連接的功率放大器。

10.如權利要求7至9中任一項所述的射頻開關裝置，其特征在于，所述射頻開關裝置為便攜式無線通信設備。