[發(fā)明專利]覆晶芯片取裸片的制備方法及失效分析方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810319803.1
• 申請(qǐng)日: 2018-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN108493123B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘健成;陳清隴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇試宜特（上海）檢測(cè)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司 31229
• 代理人: 曾耀先

本發(fā)明提供一種覆晶芯片取裸片的制備方法及失效分析方法，其中，本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法包括：提供覆晶芯片，覆晶芯片包括裸片及封裝于裸片的外部的封裝結(jié)構(gòu)，裸片的正面具有錫球；研磨封裝結(jié)構(gòu)，直至裸露出裸片正面的錫球；采用淋酸蝕刻的方式蝕刻裸片的正面，去除裸片正面的錫球、殘留的封裝結(jié)構(gòu)，達(dá)到裸片正面完全開封以得到裸片樣品。本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法不需要用酸煮沸去除封裝結(jié)構(gòu)，而是研磨掉封裝結(jié)構(gòu)的一部分，再使用淋酸蝕刻的方式去除錫球和裸片正面的封裝結(jié)構(gòu)，從而獲得裸片，不會(huì)造成崩邊或裂痕，使用此裸片進(jìn)行其他實(shí)驗(yàn)時(shí)，可排除人為因素對(duì)裸片的影響，提高了實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確性，具有優(yōu)異的技術(shù)效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種覆晶芯片取裸片的制備方法及失效分析方法。

背景技術(shù)

由于半導(dǎo)體工藝的飛速發(fā)展，國(guó)內(nèi)外高階28nm甚至更小工藝的芯片已廣泛推廣應(yīng)用。一般的封裝形式已經(jīng)不能滿足芯片傳輸速率的要求，倒封裝技術(shù)的出現(xiàn)解決了這一問題。目前倒封裝的芯片已經(jīng)廣泛的應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，且未來C4封裝等先進(jìn)封裝將成為主流。

因倒封裝芯片的金屬層數(shù)通常比較多，且正面有錫球存在。故通?？煽啃詫?shí)驗(yàn)后抽樣檢測(cè)失效分析，使用發(fā)煙硝酸取裸片可能會(huì)被燒杯與發(fā)煙硝酸反應(yīng)時(shí)沸騰或熱漲影響下導(dǎo)致裸片取下后有崩邊或裂痕，從而無法準(zhǔn)確判斷是否為芯片表面自身制程上的瑕疵。

故有必要提供一種取裸片的方案，不會(huì)造成裸片取下后有崩邊或裂痕，便于進(jìn)行下一步失效分析。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中從覆晶芯片取裸片時(shí)造成裸片取下后有崩邊或裂痕的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種覆晶芯片取裸片的制備方法。

本發(fā)明提供的覆晶芯片取裸片的制備方法包括：

提供覆晶芯片，所述覆晶芯片包括裸片及封裝于所述裸片的外部的封裝結(jié)構(gòu)，所述裸片的正面具有錫球；

研磨所述封裝結(jié)構(gòu)，直至裸露出所述裸片正面的所述錫球；

采用淋酸蝕刻的方式蝕刻所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述錫球、殘留的封裝結(jié)構(gòu)，達(dá)到所述裸片正面完全開封以得到裸片樣品。

本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法不需要用酸煮沸去除封裝結(jié)構(gòu)，而是研磨掉封裝結(jié)構(gòu)的一部分，再使用淋酸蝕刻的方式去除錫球和裸片正面的封裝結(jié)構(gòu)，從而獲得裸片。使用本發(fā)明處理覆晶芯片時(shí)不會(huì)造成崩邊或裂痕，使用此裸片進(jìn)行其他實(shí)驗(yàn)時(shí)，可排除人為因素對(duì)裸片的影響，提高了實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確性，具有優(yōu)異的技術(shù)效果。

本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基底、凸塊和塑封體，所述封裝基底通過所述凸塊連接于所述裸片的正面，所述塑封體包裹于所述裸片和所述錫球的外部。

本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法的更進(jìn)一步改進(jìn)在于，研磨所述封裝結(jié)構(gòu)，直至裸露出所述裸片正面的所述錫球的步驟包括：對(duì)所述封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行粗磨，研磨掉所述封裝基底、所述凸塊和所述裸片外部的所述塑封體的三分之二部分；提供冷埋固化膠體，將所述覆晶芯片結(jié)合并固化于所述冷埋固化膠體中；對(duì)所述塑封體和所述冷埋固化膠體進(jìn)行細(xì)磨，研磨所述塑封體剩下的三分之一部分直至裸露出所述裸片正面的所述錫球。

本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法的更進(jìn)一步改進(jìn)在于，使用P800砂紙進(jìn)行所述粗磨。

本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法的更進(jìn)一步改進(jìn)在于，使用P1200砂紙進(jìn)行所述細(xì)磨。

本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法的更進(jìn)一步改進(jìn)在于，采用淋酸蝕刻的方式蝕刻所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述錫球、殘留的封裝結(jié)構(gòu)，達(dá)到所述裸片正面完全開封以得到裸片樣品的步驟包括：

提供發(fā)煙硝酸并對(duì)所述發(fā)煙硝酸進(jìn)行加熱；