[發(fā)明專利]覆晶芯片取裸片的制備方法及失效分析方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810319803.1
• 申請(qǐng)日: 2018-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN108493123B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘健成;陳清隴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇試宜特（上海）檢測(cè)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海唯源專利代理有限公司 31229
• 代理人: 曾耀先

1.一種覆晶芯片的失效分析方法，其特征在于，包括步驟：

提供裸片樣品，所述裸片樣品由一種覆晶芯片取裸片的制備方法制得；

觀察所述裸片樣品的正面的裂痕情況，若所述裸片樣品的正面沒有裂痕，則結(jié)束實(shí)驗(yàn)，若所述裸片樣品的正面存在裂痕，則繼續(xù)下一步實(shí)驗(yàn)；

所述下一步實(shí)驗(yàn)包括：

給所述裸片樣品通電以使所述裸片樣品發(fā)熱；

提供發(fā)熱感應(yīng)顯微鏡，使用所述發(fā)熱感應(yīng)顯微鏡觀察所述裸片樣品并定位異常點(diǎn)；

根據(jù)所述異常點(diǎn)對(duì)所述裸片樣品進(jìn)行物理去層分析，找到所述裸片樣品上失效點(diǎn)的原始位置；

其中，所述覆晶芯片取裸片的制備方法，包括步驟：

提供覆晶芯片，所述覆晶芯片包括裸片及封裝于所述裸片的外部的封裝結(jié)構(gòu)，所述裸片的正面具有錫球；

研磨所述封裝結(jié)構(gòu)，直至裸露出所述裸片正面的所述錫球；

采用淋酸蝕刻的方式蝕刻所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述錫球、殘留的封裝結(jié)構(gòu)，達(dá)到所述裸片正面完全開封以得到裸片樣品；

其中，所述封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基底、凸塊和塑封體，所述封裝基底通過所述凸塊連接于所述裸片的正面，所述塑封體包裹于所述裸片和所述錫球的外部；

研磨所述封裝結(jié)構(gòu)，直至裸露出所述裸片正面的所述錫球的步驟包括：

對(duì)所述封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行粗磨，研磨掉所述封裝基底、所述凸塊和所述裸片外部的所述塑封體的三分之二部分；

提供冷埋固化膠體，將所述覆晶芯片結(jié)合并固化于所述冷埋固化膠體中；

對(duì)所述塑封體和所述冷埋固化膠體進(jìn)行細(xì)磨，研磨所述塑封體剩下的三分之一部分直至裸露出所述裸片正面的所述錫球；

采用淋酸蝕刻的方式蝕刻所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述錫球、殘留的封裝結(jié)構(gòu)，達(dá)到所述裸片正面完全開封以得到裸片樣品的步驟包括：

提供發(fā)煙硝酸并對(duì)所述發(fā)煙硝酸進(jìn)行加熱；

利用滴管將加熱后的所述發(fā)煙硝酸沖淋到經(jīng)研磨所述冷埋固化膠體的所述裸片的正面，去除所述裸片正面的所述錫球、殘留的封裝結(jié)構(gòu)及殘留的冷埋固化膠體，達(dá)到所述裸片正面完全開封以得到裸片樣品。

2.如權(quán)利要求1所述的覆晶芯片的失效分析方法，其特征在于：在所述覆晶芯片取裸片的制備方法中，使用P800砂紙進(jìn)行所述粗磨。

3.如權(quán)利要求1所述的覆晶芯片的失效分析方法，其特征在于：在所述覆晶芯片取裸片的制備方法中，使用P1200砂紙進(jìn)行所述細(xì)磨。