[發(fā)明專利]基片處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810319692.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108695212B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宮本哲嗣;稻田博一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種基片處理裝置。該基片處理裝置的液處理單元(U1)包括:保持晶片(W)的旋轉(zhuǎn)卡盤(61);使旋轉(zhuǎn)卡盤(61)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部(64);對(duì)由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部(64)的驅(qū)動(dòng)而旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤(61)所保持的晶片(W)供給涂敷液的涂敷液供給噴嘴(62);回收從晶片(W)的與被供給涂敷液的面(表面(W1))相反一側(cè)的面即背面(W2)落下的涂敷液的杯體基座(65);和配置在背面(W2)與杯體基座(65)之間,用于收集由于對(duì)旋轉(zhuǎn)的晶片W供給涂敷液而產(chǎn)生的線狀物的收集板(30)。由此,能夠抑制在對(duì)旋轉(zhuǎn)的基片供給處理液時(shí)產(chǎn)生的線狀物堆積在回收部。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基片處理裝置。
背景技術(shù)
專利文獻(xiàn)1公開了在使涂敷有涂敷液(處理液)的基片旋轉(zhuǎn)來擴(kuò)展涂敷液時(shí)會(huì)產(chǎn)生涂敷液固化為線狀的線狀物,該線狀物有可能會(huì)堵塞在排氣流路中,以及在排氣流路的上方設(shè)置收集該線狀物的收集部。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:實(shí)用新型注冊(cè)第3175893號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題
通過在上述專利文獻(xiàn)1公開的裝置,能夠適當(dāng)?shù)匾种凭€狀物堵塞在排氣流路中。在此,存在通過基片的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的線狀物的一部分繞到基片的背面?zhèn)龋谂渲糜诒3只谋3植康南路降谋w基座(回收處理液的回收部)等堆積的情況。在杯體基座的周邊等保持部的下方設(shè)置較多配管,因此,回收堆積的線狀物的作業(yè)變得復(fù)雜。
本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的,其目的在于抑制在對(duì)旋轉(zhuǎn)的基片供給處理液時(shí)產(chǎn)生的線狀物堆積在保持基片的保持部的下方。
用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
本發(fā)明的一個(gè)方式的基片處理裝置,包括:保持基片的保持部;使上述保持部旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部;處理液供給部,其對(duì)由上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部的驅(qū)動(dòng)而旋轉(zhuǎn)的上述保持部所保持的基片供給處理液;和第一收集部,其配置在上述保持部的下方,用于收集由于對(duì)旋轉(zhuǎn)的上述基片供給上述處理液而產(chǎn)生的線狀物。
本發(fā)明的基片處理裝置,利用配置在保持部的下方的第一收集部來收集由于對(duì)旋轉(zhuǎn)的基片供給處理液而產(chǎn)生的線狀物。由于在作為線狀物的產(chǎn)生部位的基片的下方配置第一收集部,因此能夠有效地收集線狀物。由此,根據(jù)本發(fā)明的基片處理裝置,能夠抑制在對(duì)旋轉(zhuǎn)的基片供給處理液時(shí)產(chǎn)生的線狀物堆積在保持部的下方。
上述基片處理裝置還包括接收漏出到基片的背面?zhèn)鹊奶幚硪旱幕厥詹浚鲜龅谝皇占颗渲迷诒3植颗c回收部之間。第一收集部配置在回收部的上方,由此能夠抑制在線狀物容易堆積的回收部堆積線狀物。
上述基片處理裝置還可以包括向基片的背面供給背部沖洗液的背部沖洗液供給部。通過對(duì)基片的背面供給背部沖洗液,能夠抑制被供給到基片的表面的處理液繞到基片的背面。另外,被供給到基片的背面的背部沖洗液被該背面濺回,又被供給到配置在比基片的背面靠下方的第一收集部。由此,能夠用背部沖洗液沖洗第一收集部所收集的線狀物。因?yàn)楸粵_洗的收集物成為液狀,所以不會(huì)如為線狀時(shí)那樣地堆積在回收部。
第一收集部具有第一開口,背部沖洗液供給部可以在第一開口的下方具有向上方開口的排出口。由此,從背部沖洗液供給部供給的背部沖洗液能夠經(jīng)第一開口適當(dāng)?shù)氐竭_(dá)基片的背面,很好地起到上述背部沖洗液的效果。即,在來自背部沖洗液供給部的排出口的背部沖洗液向上方去時(shí),能夠使背部沖洗液通過第一開口到達(dá)基片的背面,能夠適當(dāng)?shù)厍逑幢趁妗S捎谀軌蛳虮趁娉渥愕毓┙o背部沖洗液,因此從背面向第一收集部落下的背部沖洗液的量也能夠是充足的。
第一收集部可以與保持部分體地構(gòu)成并被固定。由于第一收集部為與保持部分體的不進(jìn)行旋轉(zhuǎn)(位置被固定)的部件,因此與旋轉(zhuǎn)的情況相比能夠更有效地收集線狀物。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





