[發(fā)明專利]基片處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810319692.4 | 申請日： | 2018-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN108695212B | 公開（公告）日： | 2023-03-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宮本哲嗣;稻田博一 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 處理 裝置 | ||
1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：
保持基片的保持部；
使所述保持部旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部；
處理液供給部，其對由所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部的驅(qū)動而旋轉(zhuǎn)的所述保持部所保持的基片供給處理液；和
第一收集部，其配置在所述保持部的下方，用于收集由于對旋轉(zhuǎn)的所述基片供給所述處理液而產(chǎn)生的線狀物，
所述第一收集部與所述保持部一體地設(shè)置，且與所述保持部一起旋轉(zhuǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：
還包括接收漏出到所述基片的背面?zhèn)鹊乃鎏幚硪旱幕厥詹浚?/p>
所述第一收集部配置在所述保持部與所述回收部之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：
還包括向所述基片的背面供給背部沖洗液的背部沖洗液供給部。
4.如權(quán)利要求3所述的基片處理裝置，其特征在于：
所述第一收集部具有第一開口，
所述背部沖洗液供給部在所述第一開口的下方具有向上方開口的排出口。
5.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：
所述第一收集部形成為板狀。
6.如權(quán)利要求5所述的基片處理裝置，其特征在于：
所述第一收集部相對于與所述基片的背面平行的面傾斜。
7.如權(quán)利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：
在從外側(cè)包圍所述保持部的位置在上下方向延伸的排氣流路；和
以覆蓋所述排氣流路的方式配置在所述排氣流路的上部的用于收集所述線狀物的第二收集部，
所述第二收集部具有使在所述排氣流路流動的排出氣體通過的第二開口。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
