[發明專利]一種陣列基板及制造該陣列基板的掩膜板

有效

• 申請號: 201810319342.8
• 申請日: 2018-04-11
• 公開（公告）號: CN108520882B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 劉司洋;徐向陽
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G03F1/38;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明提供一種陣列基板及其制造用的掩膜板，所述掩膜板包括用于形成薄膜晶體管中源極和漏極的源極圖塊和漏極圖塊；所述源極圖塊與所述陣列基板的源極相對應，所述漏極圖塊與所述陣列基板的漏極相對應；其中，所述源極圖塊和/或所述漏極圖塊包括位于其邊緣的凸起狀補償圖塊。

技術領域

本發明涉及顯示面板領域，尤其涉及一種陣列基板及制造該陣列基板的掩膜板。

背景技術

在TFT-LCD顯示領域中，隨著對畫面分辨率的不斷提高，像素尺寸不斷減小，對設計和制程提出了更高的要求。在制程能力限制的情況下，普通的像素設計方法一般只能將線寬做到3um以上。在制程能力限制的情況下，若將光罩(Mask)上線寬設計得很窄(3um)，則實際做出來的圖形可能不能得到預想的寬度，出現斷線或者線寬不均的現象。對于TFT-LCD面板內尤其關鍵的器件TFT，一般的實際如附圖1所示。若當D、S減小到很小時(3um)，TFT實做就會出現斷線或不均，從而降低面板的品質。

綜上所述，現有技術的TFT-LCD面板，在TFT制備過程中，當Mask線寬設計得很窄時，TFT就會出現斷線或不均，從而降低面板的品質。

發明內容

本發明提供一種陣列基板及制造該陣列基板的掩膜板，能夠將掩膜板的線寬設計的很窄，滿足更小尺寸的TFT設計需求，避免TFT出現斷線或不均現象，進而提高顯示面板的性能。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明提供一種陣列基板，包括：

基板；

漏極，制備于所述基板上，所述漏極的縱截面的形狀為馬蹄狀，所述縱截面為平行于所述基板的截面；

源極，所述源極對應所述漏極的凹部制備于所述基板上，且與所述漏極絕緣設置；

其中，所述漏極與所述源極的線寬均小于5um，且所述漏極以及所述源極各處線寬均保持均一。

本發明還提供一種制造陣列基板的掩膜板，所述掩膜板包括用于形成薄膜晶體管中源極和漏極的源極圖塊和漏極圖塊；

所述源極圖塊與所述陣列基板的所述源極相對應，所述漏極圖塊與所述陣列基板的所述漏極相對應；

其中，所述源極圖塊和/或所述漏極圖塊包括位于其邊緣的凸起狀補償圖塊。

根據本發明一優選實施例，所述漏極圖塊包括沿所述漏極圖塊輪廓線均勻分布的凸起狀的第一補償圖塊，所述第一補償圖塊通過所述漏極圖塊的邊緣部位向外延伸形成。

根據本發明一優選實施例，所述第一補償圖塊包括為鋸齒狀，所述第一補償圖塊的齒尖朝向外側，齒根到齒尖的長度范圍為0.2um～2um。

根據本發明一優選實施例，所述漏極圖塊還包括用于形成實際所需線寬的第一本體圖塊，所述第一本體圖塊的寬度小于5um。

根據本發明一優選實施例，所述漏極圖塊包括至少一個由所述漏極圖塊端部向外凸起形成的第二補償圖塊。

根據本發明一優選實施例，所述第二補償圖塊的形狀為矩形，且邊長的范圍在0.2um～2um。

根據本發明一優選實施例，所述源極圖塊包括沿所述源極圖塊輪廓線均勻分布的凸起狀的第三補償圖塊，所述第三補償圖塊通過所述源極圖塊的邊緣部位向外延伸形成。

根據本發明一優選實施例，所述源極圖塊包括至少一個由所述源極圖塊端部向外凸起形成的第四補償圖塊；所述源極圖塊還包括用于形成實際所需線寬的第二本體圖塊，所述第二本體圖塊的寬度小于5um。

根據本發明一優選實施例，所述第三補償圖塊包括為鋸齒狀，所述第三補償圖塊的齒尖朝向外側，齒根到齒尖的長度范圍為0.2um～2um；