[發明專利]一種陣列基板及制造該陣列基板的掩膜板

有效

• 申請號: 201810319342.8
• 申請日: 2018-04-11
• 公開（公告）號: CN108520882B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 劉司洋;徐向陽
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G03F1/38;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種制造陣列基板的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括用于形成薄膜晶體管中源極和漏極的源極圖塊和漏極圖塊；

所述源極圖塊與所述陣列基板的所述源極相對應，所述漏極圖塊與所述陣列基板的所述漏極相對應；

其中，所述漏極圖塊包括第一本體圖塊，所述源極圖塊包括第二本體圖塊，所述第一本體圖塊和所述第二本體圖塊的邊緣均設置有凸起狀的補償圖塊，所述第一本體圖塊與所述第二本體圖塊的寬度均小于3um，所述漏極圖塊形成的漏極的線寬為所述第一本體圖塊的寬度，所述源極圖塊形成的源極的線寬為所述第二本體圖塊的寬度。

2.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述漏極圖塊包括沿所述漏極圖塊輪廓線均勻分布的凸起狀的第一補償圖塊，所述第一補償圖塊通過所述漏極圖塊的邊緣部位向外延伸形成。

3.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一補償圖塊包括為鋸齒狀，所述第一補償圖塊的齒尖朝向外側，齒根到齒尖的長度范圍為0.2um～2um。

4.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述漏極圖塊包括至少一個由所述漏極圖塊端部向外凸起形成的第二補償圖塊。

5.根據權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述第二補償圖塊的形狀為矩形，且邊長的范圍在0.2um～2um。

6.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述源極圖塊包括沿所述源極圖塊輪廓線均勻分布的凸起狀的第三補償圖塊，所述第三補償圖塊通過所述源極圖塊的邊緣部位向外延伸形成。

7.根據權利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述源極圖塊包括至少一個由所述源極圖塊端部向外凸起形成的第四補償圖塊。

8.根據權利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述第三補償圖塊包括為鋸齒狀，所述第三補償圖塊的齒尖朝向外側，齒根到齒尖的長度范圍為0.2um～2um；

所述第四補償圖塊的形狀為矩形，且邊長的范圍在0.2um～2um。

9.一種采用如權利要求1～8任一項所述的掩膜板制備的陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

漏極，制備于所述基板上，所述漏極的縱截面的形狀為馬蹄狀，所述縱截面為平行于所述基板的截面；

源極，所述源極對應所述漏極的凹部制備于所述基板上，且與所述漏極絕緣設置；

其中，所述漏極與所述源極的線寬均小于3um，且所述漏極以及所述源極各處線寬均保持均一。