[發明專利]一種超薄散熱性能優良的磁場屏蔽片及其制備方法在審
| 申請號: | 201810318746.5 | 申請日: | 2018-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN108235677A | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發明(設計)人: | 曾志超;魯曉燕;田憶蘭;劉仲武 | 申請(專利權)人: | 深圳市馭能科技有限公司;華南理工大學 |
| 主分類號: | H05K9/00 | 分類號: | H05K9/00;H02J50/70;H05K7/20 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人: | 羅嘯秋 |
| 地址: | 518103 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米晶 帶材 磁場屏蔽 散熱性能 制備 電子材料領域 導熱雙面膠 熱處理 層壓復合 雙面使用 不連續 傳統的 金屬箔 石墨片 包邊 多層 非晶 復膠 碎化 | ||
本發明屬于電子材料領域,公開了一種超薄散熱性能優良的磁場屏蔽片及其制備方法。將非晶納米晶帶材在550~650℃溫度下熱處理,得到厚度為7~22μm的納米晶帶材;在所得納米晶帶材的單面或雙面使用厚度為3~5μm的導熱雙面膠進行復膠處理,然后將納米晶帶材碎化為間隙為0.1~5μm的不連續單體,最后將多層碎化后的納米晶帶材層壓復合,得到所述超薄散熱性能優良的磁場屏蔽片。本發明的方法可以將納米晶帶材做到更薄,由傳統的25μm以上降低至7~22μm,并進一步采用金屬箔或者石墨片進行包邊處理,顯著降低了磁場屏蔽片的厚度并提高了散熱性能。
技術領域
本發明屬于電子材料領域,具體涉及一種超薄散熱性能優良的磁場屏蔽片及其制備方法。
背景技術
無線充電模組由發射端和接受端兩部分構成,無論在發射端還是接收端,都會使用線圈(金屬絲繞線線圈或者柔性線路板線圈)和隔磁材料。其中隔磁材料是用來隔絕無線充電模組對外界的干擾,減少無線充電的電磁場對其它金屬部件的干擾。同時隔磁材料因優異的磁性性能能提升無線充電模組的充電效率,減少因對外界干擾引起的渦流損耗發熱等等問題。
隔磁材料有很多種,通常以樹脂類吸波材料,鐵氧體,非晶材料以及納米晶材料為主。樹脂類吸波材料,磁導率低,磁飽和強度低下,導熱系數低下,無法滿足無線充高規格的要求。鐵氧體材料對溫度敏感,磁飽和強度相對低下,同時自身物理韌性極差,非常不利于加工。非晶材料磁滯損耗相對較大,無線充電效率較低。納米晶材料的磁導率高,磁飽和強度高,隨溫度上升磁性性能不明顯衰減,是非常適用于無線充電領域的材料。
隨著電子消費品變得越來越纖薄,對隔磁材料的厚度也提出了更高的要求。同時,以手機為例的電子消費品,對發熱問題也特別關心。傳統的隔磁材料在厚度及散熱性能上已經不能滿足客戶日益增長的要求。
發明內容
針對以上現有技術存在的缺點和不足之處,本發明的首要目的在于提供一種超薄散熱性能優良的磁場屏蔽片的制備方法。
本發明的另一目的在于提供一種通過上述方法制備得到的超薄散熱性能優良的磁場屏蔽片。
本發明目的通過以下技術方案實現:
一種超薄散熱性能優良的磁場屏蔽片的制備方法,包括如下制備步驟:
(1)將非晶納米晶帶材在550~650℃溫度下熱處理30~100min,得到厚度為7~22μm的納米晶帶材;
(2)在步驟(1)所得納米晶帶材的單面或雙面使用厚度為3~5μm的導熱雙面膠進行復膠處理;
(3)將步驟(2)所得復膠處理后的納米晶帶材進行碎化處理,將納米晶帶材碎化為間隙為0.1~5μm的不連續單體;
(4)將步驟(3)處理后的納米晶帶材在導熱雙面膠的黏合作用下多層壓合,得到所述超薄散熱性能優良的磁場屏蔽片。
進一步地,步驟(1)中所述非晶納米晶帶材的成分組成為:Fe 75~90wt.%,Si 5~10wt.%,B 1~10wt.%,Cu 1~5wt.%,Nb 3~10wt.%,其它0~5wt.%。
進一步地,步驟(2)中所述的導熱雙面膠由高分子聚合物中添加納米陶瓷導熱填料、納米金屬導熱填料、碳納米管或石墨烯制成。所述導熱雙面膠在保持3~5μm厚度的同時,可以達到0.5W/(m·k)以上的導熱系數(普通雙面膠導熱系數為0.2W/(m·k)左右)。
進一步地,步驟(3)中所述碎化處理采用上下花輥錯位碾壓完成。如通過一組上下兩個的花紋鋼棍,下鋼棍為固定高度,上鋼棍為斜塊控制上下高度,兩輥之間通過彈簧實現非工作狀態下的分離;加工時通過數顯儀表可以調整上鋼棍斜塊的高度,進而精確控制上下兩個鋼棍之間的間隙;通過精確控制壓合鋼棍的間隙,可以精確控制復膠處理后的納米晶帶材的碾壓程度,形成具有精確裂紋間隙的效果。
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