[發(fā)明專利]一種超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810318746.5 | 申請日： | 2018-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN108235677A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 曾志超;魯曉燕;田憶蘭;劉仲武 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市馭能科技有限公司;華南理工大學 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;H02J50/70;H05K7/20 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 羅嘯秋 |
| 地址： | 518103 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米晶 帶材 磁場屏蔽 散熱性能 制備 電子材料領域 導熱雙面膠 熱處理 層壓復合 雙面使用 不連續(xù) 傳統(tǒng)的 金屬箔 石墨片 包邊 多層 非晶 復膠 碎化 | ||
1.一種超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片的制備方法，其特征在于包括如下制備步驟：
(1)將非晶納米晶帶材在550～650℃溫度下熱處理30～100min，得到厚度為7～22μm的納米晶帶材；
(2)在步驟(1)所得納米晶帶材的單面或雙面使用厚度為3～5μm的導熱雙面膠進行復膠處理；
(3)將步驟(2)所得復膠處理后的納米晶帶材進行碎化處理，將納米晶帶材碎化為間隙為0.1～5μm的不連續(xù)單體；
(4)將步驟(3)處理后的納米晶帶材在導熱雙面膠的黏合作用下多層壓合，得到所述超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述非晶納米晶帶材的成分組成為：Fe 75～90wt.％，Si 5～10wt.％，B 1～10wt.％，Cu 1～5wt.％，Nb 3～10wt.％，其它0～5wt.％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述的導熱雙面膠由高分子聚合物中添加納米陶瓷導熱填料、納米金屬導熱填料、碳納米管或石墨烯制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片的制備方法，其特征在于：步驟(3)中所述碎化處理采用上下花輥錯位碾壓完成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片的制備方法，其特征在于：步驟(3)中所述納米晶帶材碎化的間隙為0.1～3μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片的制備方法，其特征在于：步驟(4)中所述壓合的壓力為0.1～2MPa。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片的制備方法，其特征在于：步驟(4)中所得磁場屏蔽片進一步使用散熱保護膜包邊處理，散熱保護膜的厚度為5～15μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片的制備方法，其特征在于：所述散熱保護膜是指金屬箔或石墨片，所述包邊處理是指對磁場屏蔽片的至少一面進行包覆。
9.一種超薄散熱性能優(yōu)良的磁場屏蔽片，其特征在于：通過權(quán)利要求1～8任一項所述的方法制備得到。
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