[發明專利]熱優化相變存儲器單元及其制造方法

在審

• 申請號: 201810315878.2
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN108630723A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 馬蒂亞·博尼亞蒂;安德烈亞·雷達埃利
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及熱優化相變存儲器單元及其制造方法。一種熱優化相變存儲器單元包含安置于第一電極與第二電極之間的相變材料元件。所述第二電極包含所述第一電極上方的具有第一熱阻率的熱絕緣區域及內插于所述相變材料元件與所述熱絕緣區域之間的金屬接觸區域，其中金屬接觸層具有低于所述第一熱阻率的第二熱阻率。

分案申請的相關信息

本案是分案申請。該分案的母案是申請日為2014年05月12日、申請號為201480028746.1、發明名稱為“熱優化相變存儲器單元及其制造方法”的發明專利申請案。

技術領域

本文所揭示的標的物大體上涉及集成電路中的裝置，且特定來說，涉及并入硫族化物材料的裝置。

背景技術

并入相變材料(例如，硫族化物材料)的裝置(例如(舉例來說)開關及存儲元件)可發現于各種電子裝置中。舉例來說，并入相變材料的裝置可用于計算機、數碼相機、蜂窩電話、個人數字助理等等中。系統設計者可在針對特定應用來確定是否并入相變材料及并入相變材料的方式時考慮的因素可包含(舉例來說)物理大小、存儲密度、可延展性、操作電壓及電流、讀取/寫入速度、讀取/寫入通量、傳輸速率及/或電力消耗。系統設計者所關注的其它實例因素包含制造成本及/或制造難易性。

發明內容

本申請的一個實施例涉及一種電子裝置，其包括：第一電極；位于所述第一電極上的硫族化物材料元件；以及位于所述硫族化物材料元件上的第二電極，所述第二電極包括具有第一熱阻率的熱絕緣區域以及位于所述硫族化物材料元件與所述熱絕緣區域之間的金屬接觸區域，所述金屬接觸區域具有低于所述第一熱阻率的第二熱阻率。

本申請的另一實施例涉及一種電子裝置，其包括：第一電極；位于所述第一電極上的硫族化物材料元件；以及位于所述硫族化物材料元件上的第二電極，所述第二電極包括熱絕緣區域以及內插于所述硫族化物材料元件與所述熱絕緣區域之間的金屬接觸區域。

本申請的又一實施例涉及一種制造電子裝置的方法，其包括：形成第一電極；在所述第一電極上形成硫族化物材料元件；以及在所述硫族化物材料元件上形成第二電極；以及在所述第二電極上形成金屬存取線，其中形成所述第二電極包括：在所述硫族化物材料元件上形成金屬接觸區域；以及在所述金屬接觸區域上形成包含碳的熱絕緣區域，所述熱絕緣區域具有第一熱阻率，所述第一熱阻率大于所述金屬接觸區域的第二熱阻率；其中形成所述第一電極包括：形成包含碳的第二熱絕緣區域；以及形成內插于所述硫族化物材料元件和所述第二熱絕緣區域之間的第二金屬接觸區域，所述第二熱絕緣區域具有第三熱阻率，所述第三熱阻率大于所述第二金屬接觸區域的第四熱阻率。

本申請的另一實施例涉及一種制造電子裝置的方法，其包括：形成第一電極；在所述第一電極上形成硫族化物材料元件；在所述硫族化物材料元件上形成第二電極，所述第二電極包括在所述硫族化物材料元件上的金屬接觸區域以及在所述金屬接觸區域上包含碳的熱絕緣區域，其中所述熱絕緣區域具有第一熱阻率，并且所述金屬接觸區域具有比所述第一熱阻率低的第二熱阻率；以及在所述第二電極上形成存取線并沿第一方向延伸，其中所述存取線和至少所述第二電極具有在與所述第一方向交叉的第二方向上測量的相同標稱寬度。

本申請的另一實施例涉及一種制造電子裝置的方法，其包括：形成在第一方向上延伸的第一存取線、在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二存取線以及垂直內插于所述第一存取線和所述第二存取線之間的硫族化物材料元件；以及形成垂直內插于所述硫族化物材料元件與所述第一存取線之間的電極，其中所述電極包括含碳且具有第一熱阻率的熱絕緣區域以及內插于所述硫族化物材料元件與所述熱絕緣區域之間的金屬接觸區域，所述金屬接觸區域具有低于所述第一熱阻率的第二熱阻率，其中形成所述電極包括圖案化和蝕刻以在單個光掩模層級內限定所述電極和所述第一存取線路的至少一個尺寸，使得所述電極和所述第一存取線在所述第二方向上具有相同的第一標稱橫向尺寸。

附圖說明