[發明專利]熱優化相變存儲器單元及其制造方法

在審

• 申請號: 201810315878.2
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN108630723A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 馬蒂亞·博尼亞蒂;安德烈亞·雷達埃利
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種電子裝置，其包括：

第一電極；

位于所述第一電極上的硫族化物材料元件；以及

位于所述硫族化物材料元件上的第二電極，所述第二電極包括具有第一熱阻率的熱絕緣區域以及位于所述硫族化物材料元件與所述熱絕緣區域之間的金屬接觸區域，所述金屬接觸區域具有低于所述第一熱阻率的第二熱阻率。

2.根據權利要求1所述的電子裝置，其中所述硫族化物材料元件是存儲器單元的選擇器節點。

3.根據權利要求1所述的電子裝置，其中所述硫族化物材料元件包含相變材料元件，且其中所述熱絕緣區域包含碳。

4.根據權利要求1所述的電子裝置，其進一步包括：

與所述熱絕緣區域耦合的金屬存取線。

5.根據權利要求4所述的電子裝置，其中所述金屬存取線安置在所述第二電極上并沿第一方向延伸，并且其中所述金屬存取線與至少所述第二電極具有在不同于所述第一方向的第二方向上測得的相同的標稱寬度。

6.根據權利要求1所述的電子裝置，其中所述硫族化物材料元件的塊狀材料的電阻大于所述熱絕緣區域的塊狀材料、所述金屬接觸區域的塊狀材料以及所述金屬接觸區域和所述硫族化物材料元件之間的界面的組合電阻。

7.根據權利要求1所述的電子裝置，其進一步包括：

第一存儲器元件；

與所述第一存儲器元件相鄰的第二存儲器元件；以及

位于所述第一存儲器元件和所述第二存儲器元件之間的側壁絕緣體。

8.根據權利要求7所述的電子裝置，其中所述側壁絕緣體包括至少三個側壁層，所述至少三個側壁層具有：

交替的材料組合物；或

各自具有不同的材料組合物。

9.根據權利要求7所述的電子裝置，其中所述側壁絕緣體包括與所述第一存儲器元件接觸的第一側壁層以及內插在所述第一側壁層和所述第二存儲器元件之間的第二側壁層，其中所述第一側壁層具有與所述第二側壁層不同的材料組合物。

10.根據權利要求9所述的電子裝置，其中所述第一側壁層具有至少一個不同于所述第二側壁層的原子元素。

11.根據權利要求9所述的電子裝置，其中所述第一側壁層或所述第二側壁層中的一個或多個的材料為氧化物、氮化物或碳化物材料。

12.根據權利要求9所述的電子裝置，其中所述第一側壁層的材料選自由SiO₂、ZrO₂、HfO₂、Al₂O₃、NiO、TiO₂、Ta₂O₅、ThO₂、HfSiO₄、ZrSiO₄、Mg₂SiO₄、MgO、BeO以及鑭系元素氧化物組成的群組，并且其中所述第二側壁層的材料選自由Si₃N₄和SiC組成的群組。

13.根據權利要求9所述的電子裝置，其中所述第一側壁層和所述第二側壁層具有在1nm和10nm之間的標稱厚度，并且其中所述第一側壁層和所述第二側壁層具有：相同的標稱厚度，或

實質上不同的標稱厚度。

14.根據權利要求1所述的電子裝置，其中所述第二熱阻率比所述第一熱阻率低至少10倍。

15.根據權利要求1所述的電子裝置，其進一步包括：

側壁絕緣體，其與所述第一電極、所述硫族化物材料元件以及所述第二電極接觸，所述側壁絕緣體包括多個側壁絕緣層。