[發明專利]老化性能優良的低殘壓直流壓敏電阻制備方法

在審

• 申請號: 201810314296.2
• 申請日: 2018-04-10
• 公開（公告）號: CN108439972A
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 何金良;胡軍;王曉強;趙銳;孟鵬飛;王忠;馮利偉
• 申請（專利權）人: 清華大學;國網山西省電力公司大同供電公司
• 主分類號: C04B35/453
• 分類號: C04B35/453;C04B35/622;C04B41/88;H01C7/112;H01C17/28;H01C17/30
• 代理公司: 重慶百潤洪知識產權代理有限公司 50219
• 代理人: 劉立春

一種老化性能優良的低殘壓壓敏電阻制備方法，包括輔料配制步驟、混料步驟、成型步驟、燒結步驟、磨片步驟。所述輔助添加漿料的成分包括Bi₂O₃、Sb₂O₃、MnO₂、Co₂O₃、NiO、B₂O₃、Al(NO₃)₃、K₂SO₄、CaCO₃、MgO、去離子水。其有益效果是：采用本發明方法帶來的有益變化是，基本保持了直流壓敏電阻的制造工藝，使得電阻片的制造周期縮短，不使用滲鉍工藝，直流壓敏電阻的制造工藝被簡化。由于新發明在配方和工藝上均進行了改進，使得新的直流壓敏電阻具有優良的特性。

技術領域

本發明涉及氧化鋅電阻制備領域，特別是一種老化性能優良的低殘壓直流壓敏電阻制備方法。

背景技術

氧化鋅壓敏電阻，因其具有較為優良的非線性特性，在限制電力系統過電壓領域得到了較為廣泛的應用。但是，傳統的直流氧化鋅壓敏電阻片生產配方以及制作工藝其存在如下問題：1.在制作的過程中，要使用滲鉍工藝；2.壓敏電阻的生產制備周期較為長、復雜，不同生產批次的產品性能存在差異；3.電阻片的殘壓比較大，保護性能有待提高；4.電阻片的殘壓較高，已不再能夠滿足工業需求。5.直流非線性壓敏電阻的老化特性有待改善

因此，隨著產品技術等級的不斷提高，對產品性能的要求也越來越高，原有的直流壓敏電阻閥片已不能滿足要求，急需開新型的直流氧化鋅壓敏電阻。

發明內容

本發明的目的是為了解決上述問題，設計了一種老化性能優良的低殘壓直流壓敏電阻制備方法。具體設計方案為：

一種老化性能優良的低殘壓直流壓敏電阻制備方法，包括輔料配制步驟、混料步驟、成型步驟、燒結步驟、磨片步驟，所述輔料配制步驟、混料步驟、成型步驟、燒結步驟、磨片步驟依次進行經過輔料配制步驟獲得輔助添加漿料，所述輔助添加漿料經過混合步驟獲得ZnO漿料，所述ZnO漿料經過成型步驟獲得ZnO坯體，所述ZnO坯體經過介紹步驟獲得ZnO陶瓷，將所述ZnO陶瓷經過磨片步驟獲得壓敏電阻。

所述輔料配制步驟中，

所述輔助添加漿料的成分包括Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Co2O3、NiO、B2O3、 AI(NO3)3、K2SO4、CaCO3、MgO、去離子水，

所述輔助添加漿料的制備方法為：將Bi2O3、Sb203、MnO2、Co2O3、 NiO、B2O3、Al(NO3)3、K2SO4、CaCO3、MgO放入球磨機中獲得輔助添加粉料，然后加入去離子水、結合劑、分散劑、消泡劑，混合球磨，球磨120min，

所述輔助添加漿料中各成分的質量份數/摩爾份數比為：

所述輔助添加漿料中，輔助添加粉料與去離子水的質量份數為輔助添加粉料1份、去離子水2份。

所述混料步驟中，將輔助添加漿料與ZnO混合獲得ZnO粉料，再加入去離子水，混合放入超細砂磨機砂磨，砂磨60min，使所有混合原料分散均勻為止，得到混合均勻的ZnO漿料，

所述ZnO漿料中，所述ZnO粉料與加入去離子水的質量份數為ZnO粉料1 份、去離子水1份。

所述成型步驟中，

對ZnO漿料進行噴霧干燥，經噴霧干燥后的ZnO漿料含水量為1％，沉浮后使用液壓壓片機以及圓柱形模具，將顆粒料壓片成型，獲得ZnO坯體，成型壓力為150MPa，保壓時間3min。

所述燒結步驟中，將ZnO坯體在封閉的氣氛條件下，

以200℃/h的升溫速度，將燒結溫度提高至400℃；