[發(fā)明專利]老化性能優(yōu)良的低殘壓直流壓敏電阻制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810314296.2
• 申請(qǐng)日: 2018-04-10
• 公開（公告）號(hào): CN108439972A
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何金良;胡軍;王曉強(qiáng);趙銳;孟鵬飛;王忠;馮利偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);國(guó)網(wǎng)山西省電力公司大同供電公司
• 主分類號(hào): C04B35/453
• 分類號(hào): C04B35/453;C04B35/622;C04B41/88;H01C7/112;H01C17/28;H01C17/30
• 代理公司: 重慶百潤(rùn)洪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50219
• 代理人: 劉立春

1.一種老化性能優(yōu)良的低殘壓壓敏電阻制備方法，包括輔料配制步驟、混料步驟、成型步驟、燒結(jié)步驟、磨片步驟，其特征在于，所述輔料配制步驟、混料步驟、成型步驟、燒結(jié)步驟、磨片步驟依次進(jìn)行經(jīng)過輔料配制步驟獲得輔助添加漿料，所述輔助添加漿料經(jīng)過混合步驟獲得ZnO漿料，所述ZnO漿料經(jīng)過成型步驟獲得ZnO坯體，所述ZnO坯體經(jīng)過介紹步驟獲得ZnO陶瓷，將所述ZnO陶瓷經(jīng)過磨片步驟獲得壓敏電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的老化性能優(yōu)良的低殘壓直流壓敏電阻制備方法，其特征在于，所述輔料配制步驟中，

所述輔助添加漿料的成分包括Bi₂O₃、Sb₂O₃、MnO₂、Co₂O₃、NiO、B₂O₃、Al(NO₃)₃、K₂SO₄、CaCO₃、MgO、去離子水，

所述輔助添加漿料的制備方法為：將Bi₂O₃、Sb₂O₃、MnO₂、Co₂O₃、NiO、B₂O₃、Al(NO₃)₃、K₂SO₄、CaCO₃、MgO放入球磨機(jī)中獲得輔助添加粉料，然后加入去離子水、結(jié)合劑、分散劑、消泡劑，混合球磨，球磨120min，

所述輔助添加漿料中各成分的質(zhì)量份數(shù)/摩爾份數(shù)比為：

所述輔助添加漿料中，輔助添加粉料與去離子水的質(zhì)量份數(shù)為輔助添加粉料1份、去離子水2份。

3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的老化性能優(yōu)良的低殘壓直流壓敏電阻制備方法，其特征在于，所述混料步驟中，將輔助添加漿料與ZnO混合獲得ZnO粉料，再加入去離子水，混合放入超細(xì)砂磨機(jī)砂磨，砂磨60min，使所有混合原料分散均勻?yàn)橹梗玫交旌暇鶆虻腪nO漿料，

所述ZnO漿料中，所述ZnO粉料與加入去離子水的質(zhì)量份數(shù)為ZnO粉料1份、去離子水1份。

4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的老化性能優(yōu)良的低殘壓直流壓敏電阻制備方法，其特征在于，所述成型步驟中，

對(duì)ZnO漿料進(jìn)行噴霧干燥，經(jīng)噴霧干燥后的ZnO漿料含水量為1％，沉浮后使用液壓壓片機(jī)以及圓柱形模具，將顆粒料壓片成型，獲得ZnO坯體，

成型壓力為150MPa，保壓時(shí)間3min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的老化性能優(yōu)良的低殘壓直流壓敏電阻制備方法，其特征在于，所述燒結(jié)步驟中，將ZnO坯體在封閉的氣氛條件下，

以200℃/h的升溫速度，將燒結(jié)溫度提高至400℃；

在400℃的燒結(jié)溫度下，持續(xù)保溫排膠5；，

將燒結(jié)溫度提高至1200℃；

在1200℃的燒結(jié)溫度下，保溫3h，使坯體致密，獲得ZnO陶瓷。

6.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的老化性能優(yōu)良的低殘壓直流壓敏電阻制備方法，其特征在于，在磨片步驟中，對(duì)ZnO陶瓷進(jìn)行磨片處理，并在磨片處理后在所述ZnO陶瓷的表面噴制鋁電極，獲得壓敏電阻。