[發明專利]一種半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201810312387.2
• 申請日: 2018-04-09
• 公開（公告）號: CN110364475A
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 孫曉峰;秦仁剛;盛拓
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 汪洋;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底中形成溝槽；

使用高密度等離子體化學氣相沉積工藝在所述溝槽中填充隔離材料，以形成淺溝槽隔離結構，其中，所述高密度等離子體化學氣相沉積工藝依次包括加熱階段和沉積階段，所述加熱階段所使用的工藝氣體中不包含氧氣。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述加熱階段所使用的工藝氣體為惰性氣體。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在使用高密度等離子體化學氣相沉積工藝在所述溝槽中填充隔離材料的步驟之前，還包括：形成覆蓋所述溝槽底部和側壁的襯墊層。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述襯墊層為氧化物層。

6.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在使用高密度等離子體化學氣相沉積工藝在所述溝槽中填充隔離材料的步驟之前，還包括：執行退火工藝，以消除所述襯墊層生長過程中所產生的應力。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底上形成有圖案化的硬掩膜層。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述溝槽中填充隔離材料的步驟包括：

使用高密度等離子體化學氣相沉積工藝，形成覆蓋所述硬掩膜層并填充滿所述溝槽的隔離材料；

執行化學機械研磨工藝，去除所述隔離材料位于所述硬掩膜層上方的部分。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在執行所述化學機械研磨工藝的步驟之后，還包括去除所述圖案化的硬掩膜層的步驟。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在去除所述圖案化的硬掩膜層的步驟之后，還包括：

形成覆蓋所述半導體襯底的保護層；

對所述半導體襯底進行阱離子注入；以及

去除所述保護層。