[發明專利]一種金剛石涂層的制備方法在審
| 申請號: | 201810310823.2 | 申請日: | 2018-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN108411278A | 公開(公告)日: | 2018-08-17 |
| 發明(設計)人: | 陳乃超;陳英超;劉木森;李成;艾俊 | 申請(專利權)人: | 上海電力學院 |
| 主分類號: | C23C16/27 | 分類號: | C23C16/27;C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吳寶根 |
| 地址: | 200090 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金剛石涂層 基體表面 制備 納米固體顆粒 質地 制備金剛石涂層 固體顆粒材料 預處理 外界沖擊力 基體材料 外界作用 整體品質 嵌入的 實驗臺 吸收 | ||
1.一種金剛石涂層的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
1)一個對基體表面進行預處理的步驟;
首先對基體表面進行超聲波處理,將基體依次放入到去離子水、乙醇和丙酮溶液中超聲清洗5~15分鐘,待清洗完成后,將基體烘干;
2)將基體放置在CVD實驗臺反應臺上,將需要嵌入的質地較軟的納米固體顆粒放置在基體表面上,納米固體顆粒均勻分布在基體表面;所述的固體顆粒材料的硬度低于基體材料的硬度;
3)一個制備金剛石涂層的步驟,設置CVD金剛石涂層的制備參數,參數如下:
形核階段:反應壓力-99.7kPa、氫氣流量240sccm、碳源流量100sccm;
生長階段:生長MCD涂層時,反應壓力-97.3KPa、氫氣流量240sccm、碳源流量80sccm、氬氣流量150sccm;生長NCD涂層時,反應壓力-100.1kPa、氫氣流量240sccm、碳源流量90sccm、氬氣流量150sccm;
制備涂層期間,用四根鉭絲作為加熱源,鉭絲之間相互間隔為20cm,鉭絲距基體表面為16cm;形核階段,加熱功率為5800W,時間為30min;生長階段,加熱功率為6000W,時間為6小時;
在含有納米固體顆粒的基體表面上制備出金剛石涂層,所述的金剛石涂層的厚度超過放置在基體表面納米固體顆粒的厚度。
2.根據權利要求1所述的一種金剛石涂層的制備方法,其特征在于:所述的基體的材料為氮化硅。
3.根據權利要求1所述的一種金剛石涂層的制備方法,其特征在于:所述的納米固體顆粒為納米碳化鎢。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





