[發(fā)明專(zhuān)利]一種金剛石涂層的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810310823.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108411278A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳乃超;陳英超;劉木森;李成;艾俊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海電力學(xué)院 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/27 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/27;C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海申匯專(zhuān)利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吳寶根 |
| 地址: | 200090 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金剛石涂層 基體表面 制備 納米固體顆粒 質(zhì)地 制備金剛石涂層 固體顆粒材料 預(yù)處理 外界沖擊力 基體材料 外界作用 整體品質(zhì) 嵌入的 實(shí)驗(yàn)臺(tái) 吸收 | ||
本發(fā)明提供了一種金剛石涂層的制備方法,包括一個(gè)對(duì)基體表面進(jìn)行預(yù)處理的步驟;將基體放置在CVD實(shí)驗(yàn)臺(tái)反應(yīng)臺(tái)上,將需要嵌入的質(zhì)地較軟的固體顆粒放置在基體表面上,固體顆粒均勻分布在基體表面;所述的固體顆粒材料的硬度低于基體材料的硬度;一個(gè)制備金剛石涂層的步驟,設(shè)置CVD金剛石涂層的制備參數(shù),在含有納米固體顆粒的基體表面上制備出金剛石涂層,所述的金剛石涂層的厚度超過(guò)放置在基體表面納米固體顆粒的厚度。本發(fā)明利用放置在基體表面的質(zhì)地較軟的納米固體顆粒吸收外界作用于金剛石涂層的沖擊應(yīng)力,降低外界沖擊力對(duì)超硬金剛石涂層的破壞,保持金剛石涂層的完整性,避免涂層出現(xiàn)脫落,提高了涂層的韌性,從而提升了涂層整體品質(zhì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于化工領(lǐng)域,涉及一種金剛石涂層,具體來(lái)說(shuō)是一種涂層嵌入納米固體顆粒的新型金剛石涂層的方法。
背景技術(shù)
金剛石涂層是21世紀(jì)的一種新型功能材料,具有高強(qiáng)度、高摩擦磨損性能、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性,有廣泛的應(yīng)用前景。目前,公認(rèn)的金剛石涂層沉積方法主要為化學(xué)氣相沉積法(CVD)。而化學(xué)氣相沉積法中,熱絲化學(xué)沉積法(HFCVD)具有涂層生長(zhǎng)速度快、操作方便、成本低等優(yōu)點(diǎn),成為當(dāng)前國(guó)內(nèi)外制備金剛石涂層的主要方法。對(duì)于超硬金剛石涂層而言,涂層韌性不足,導(dǎo)致涂層與基體容易脫落是其技術(shù)的主要瓶頸,限制了金剛石涂層的應(yīng)用空間。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種金剛石涂層的制備方法,所述的這種金剛石涂層的制備方法要解決現(xiàn)有技術(shù)中的超硬金剛石涂層韌性不足、涂層與基體容易脫落的技術(shù)問(wèn)題。
本發(fā)明提供了一種金剛石涂層的制備方法,包括如下步驟:
1)一個(gè)對(duì)基體表面進(jìn)行預(yù)處理的步驟;
首先對(duì)基體表面進(jìn)行超聲波處理,將基體依次放入到去離子水、乙醇和丙酮溶液中超聲清洗5~15分鐘,待清洗完成后,將基體烘干;
2)將基體放置在CVD實(shí)驗(yàn)臺(tái)反應(yīng)臺(tái)上,將需要嵌入的質(zhì)地較軟的納米固體顆粒放置在基體表面上,納米固體顆粒均勻分布在基體表面;所述的固體顆粒材料的硬度低于基體材料的硬度;
3)一個(gè)制備金剛石涂層的步驟,設(shè)置CVD金剛石涂層的制備參數(shù),參數(shù)如下:
形核階段:反應(yīng)壓力-99.7kPa、氫氣流量240sccm、碳源流量100sccm;
生長(zhǎng)階段:生長(zhǎng)MCD涂層時(shí),反應(yīng)壓力-97.3KPa、氫氣流量240sccm、碳源流量80sccm、氬氣流量150sccm;生長(zhǎng)NCD涂層時(shí),反應(yīng)壓力-100.1kPa、氫氣流量240sccm、碳源流量90sccm、氬氣流量150sccm;
制備涂層期間,用四根鉭絲作為加熱源,鉭絲之間相互間隔為20cm,鉭絲距基體表面為16cm;形核階段,加熱功率為5800W,時(shí)間為30min;生長(zhǎng)階段,加熱功率為6000W,時(shí)間為6小時(shí);
在含有納米固體顆粒的基體表面上制備出金剛石涂層,所述的金剛石涂層的厚度超過(guò)放置在基體表面納米固體顆粒的厚度。
進(jìn)一步的,所述的基體的材料為氮化硅。
進(jìn)一步的,所述的納米固體顆粒為納米碳化鎢。
本發(fā)明在化學(xué)氣相沉積法制備生長(zhǎng)金剛石涂層之前,基體上均勻放置質(zhì)地較軟的納米固體顆粒,而后按照原有金剛石涂層制備工藝生長(zhǎng)出金剛石涂層。其中,所放置的納米固體顆粒的硬度小于基體的硬度,同時(shí)保證納米固體顆粒均勻性的放置在基體表面,金剛石涂層厚度大于放置在基體表面上的納米固體顆粒的厚度,保證納米固體顆粒完全被金剛石涂層覆蓋。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





