[發明專利]半導體裝置、半導體晶圓及半導體裝置制造方法

在審

• 申請號: 201810309530.2
• 申請日: 2018-04-09
• 公開（公告）號: CN108735799A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 柳田正道;松浦伸悌
• 申請（專利權）人: 力祥半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 中國商標專利事務所有限公司 11234
• 代理人: 宋義興;張立晶

本發明公開一種半導體裝置、半導體晶圓及半導體裝置制造方法。半導體裝置制造方法包括：準備半導體晶圓的預備步驟；去除半導體晶圓的厚度部分的去除步驟；以及分割半導體晶圓的分割步驟。在去除步驟中，以半導體晶圓的第二表面部分隆起的凸肋狀部位作為對準標記，使得切割刀能與半導體晶圓對齊。本發明公開的半導體裝置、半導體晶圓及半導體裝置制造方法可簡化處理與切割半導體晶圓的對準步驟。

技術領域

本發明與半導體裝置有關，尤其是關于一種半導體裝置、半導體晶圓及半導體裝置制造方法。

背景技術

一般而言，半導體裝置制造方法大致包括：使用擴散技術而于半導體晶圓的表面附近形成例如晶體管等半導體元件的擴散區域的步驟；于半導體晶圓的表面形成與擴散區域連接的導電圖案的步驟；以及將半導體晶圓切割成個別的半導體裝置的歩驟。

另外，在磨薄半導體晶圓時，利用保留其外圍部的厚度部分來確保半導體晶圓的剛性，由以開發出一種可防止半導體晶圓在搬運時破損并可降低翹曲的制造方法，一般稱為TAIKO工藝(請參照下列網址https://www.disco.co.jp/jp/solution/library/taiko.html，于2017年2月23日檢索)。另外，與TAIKO工藝類似的半導體裝置制造方法，則請參照美國專利公開案號US 2014/0242756、US2013/0210215與US2008/0242052。

請參照圖8，圖8圖示采用TAIKO工藝的半導體裝置制造方法，其中圖8A、圖8B與圖8C依序圖示半導體裝置制造方法的剖面圖。

如圖8A所示，首先，將半導體晶圓100貼于背面研磨膠帶(Back grinding tape)102上，使半導體晶圓100上形成有導電圖案101的表面貼于背面研磨膠帶102上。于半導體晶圓100上，以矩陣狀形成作為半導體裝置的多個半導體裝置部(未圖示)。

如圖8B所示，采用未圖示的研磨裝置從上方對半導體晶圓100進行研磨加工，致使半導體晶圓100的厚度變薄。此研磨步驟并非對整個半導體晶圓100進行研磨，而是僅對上述半導體裝置形成的區域進行研磨，以保留半導體晶圓100周圍邊緣的厚壁部分。由此，不僅可確保半導體晶圓100的剛性，有利于半導體晶圓100制造步驟中的處理，同時亦可抑制半導體晶圓100的翹曲。

如圖8C所示，將已完成研磨步驟的半導體晶圓100從背面研磨膠帶102剝離，并將未形成導電圖案101的半導體晶圓100的表面貼至切割膠帶103。接著，先將形成于半導體晶圓100周圍邊緣的厚壁部分去除后，再將半導體晶圓100反轉。于此狀態下，通過將半導體晶圓100上面所呈現的導電圖案101作為對準標記而使切割刀104對準半導體晶圓100，再使用高速旋轉的切割刀104切割半導體晶圓100，以取得多個獨立的半導體裝置。

發明內容

然而，使用上述一般的TAIKO工藝的半導體裝置制造方法并不易使切割刀正確地切割半導體晶圓100。詳言之，為了要正確地將半導體晶圓100切割為多個獨立的半導體裝置，必須讓切割刀104能與形成于半導體晶圓100的多個半導體裝置部之間的切割線正確對準。

一般而言，是以照相機等拍照裝置對形成于半導體晶圓100上的導電圖案101或對準標記進行拍照，再利用信息計算出半導體裝置部的位置，以進行切割刀104的對準。然而，上述的對準程序有過于繁復的缺點。

另外，通過TAIKO工藝(例如使用切割刀104)切割厚度小于或等于100μm的薄型化半導體晶圓100時，由于受到切割刀104所施予的應力或撞擊等因素，即使半導體晶圓100很小，亦可能導致破損現象。

再者，通過上述制造步驟所制造的半導體裝置，當使用焊錫等導電性粘著劑進行粘接時，很可能會發生熔接于半導體裝置的導電性粘著劑過度地往周圍散開的問題。

有鑒于此，本發明提供一種可簡化處理與切割半導體晶圓的對準步驟的半導體裝置、半導體晶圓及半導體裝置制造方法。