[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體晶圓及半導(dǎo)體裝置制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810309530.2
• 申請日: 2018-04-09
• 公開（公告）號: CN108735799A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳田正道;松浦伸悌
• 申請（專利權(quán)）人: 力祥半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 中國商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 11234
• 代理人: 宋義興;張立晶

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述半導(dǎo)體裝置包括：

一半導(dǎo)體基板，其具有一第一表面和與上述第一表面對向的一第二表面，且于其內(nèi)部形成有一擴散區(qū)域；

一導(dǎo)電圖案，形成于上述第一表面且與上述擴散區(qū)域電性連接；以及

一周緣突出部，形成于上述第二表面的一外圍邊緣部且往厚度方向外側(cè)突出。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，形成有上述周緣突出部的上述第二表面被一背墊金屬所覆蓋。

3.一種半導(dǎo)體晶圓，其特征在于，上述半導(dǎo)體晶圓包括：

一半導(dǎo)體基板，以矩陣狀排列有多個半導(dǎo)體裝置部；

一第一表面，配設(shè)有與形成于上述半導(dǎo)體裝置部的擴散區(qū)域連接的導(dǎo)電圖案；

一第二表面，與上述第一表面對向；以及

一凸肋狀部位，為對應(yīng)于上述多個半導(dǎo)體裝置部之間的區(qū)域的上述第二表面往厚度方向外側(cè)突出的部位，且其整體上形成為格子狀。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于，形成有上述凸肋狀部位的上述第二表面被一背墊金屬所覆蓋。

5.一種半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，上述半導(dǎo)體裝置制造方法包括：

準(zhǔn)備半導(dǎo)體晶圓的預(yù)備步驟，包括：

于一半導(dǎo)體基板以矩陣狀排列有多個半導(dǎo)體裝置部；

于一第一表面配設(shè)有與形成于上述半導(dǎo)體裝置部的擴散區(qū)域連接的導(dǎo)電圖案；以及

提供與上述第一表面對向的一第二表面；

去除步驟：從上述第二表面?zhèn)热コ纬捎猩鲜霭雽?dǎo)體裝置部的區(qū)域的上述半導(dǎo)體晶圓的上述厚度部分；以及

分割步驟：將上述半導(dǎo)體晶圓分割成各上述半導(dǎo)體裝置部，

在上述去除步驟中，于上述半導(dǎo)體裝置部彼此間相對應(yīng)的部分的上述第二表面上形成有一往厚度方向外側(cè)突出的凸肋狀部位，

在上述分割步驟中，沿著上述凸肋狀部位分割上述半導(dǎo)體晶圓。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，于上述去除步驟中，保留上述半導(dǎo)體晶圓的外圍邊緣部的厚度。

7.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，在上述去除步驟中，在讓上述半導(dǎo)體晶圓的上述第一表面貼著一第一膠帶的狀態(tài)下，以研磨機壓擠且研磨上述半導(dǎo)體晶圓的上述第二表面，通過使上述半導(dǎo)體裝置部彼此間的部分的上述半導(dǎo)體晶圓往上述第一表面?zhèn)茸冃危谂c上述半導(dǎo)體裝置部彼此間相對應(yīng)的部分的上述第二表面上形成上述凸肋狀部位。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，在上述分割步驟中，于上述半導(dǎo)體晶圓的上述第一表面上貼著上述第一膠帶的狀態(tài)下，個別分割上述半導(dǎo)體晶圓。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，在上述分割步驟中，于上述第一膠帶貼著一第二膠帶的狀態(tài)下，個別分離上述半導(dǎo)體晶圓。