[發(fā)明專利]LED芯片及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810306935.0
• 申請(qǐng)日: 2018-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN108321274A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李慶;劉佳擎;張振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聚燦光電科技（宿遷）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/42
• 分類號(hào): H01L33/42;H01L33/40;H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

本發(fā)明揭示了一種LED芯片及其制造方法，LED芯片包括襯底及位于襯底上的LED外延結(jié)構(gòu)，LED芯片還包括位于外延結(jié)構(gòu)上方的透明導(dǎo)電層及鈍化層，透明導(dǎo)電層及鈍化層的至少其中之一上具有若干開槽。本發(fā)明的透明導(dǎo)電層和/或鈍化層具有開槽，開槽可以改變光的出射角度，提高光的漫反射幾率，進(jìn)而提升LED芯片的發(fā)光亮度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED芯片及其制造方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(Light-EmittingDiode，LED)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件。這種電子元件早在1962年出現(xiàn)，早期只能發(fā)出低光度的紅光，之后發(fā)展出其他單色光的版本，時(shí)至今日能發(fā)出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，光度也提高到相當(dāng)?shù)墓舛取６猛疽灿沙鯐r(shí)作為指示燈、顯示板等；隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，發(fā)光二極管已被廣泛的應(yīng)用于顯示器、電視機(jī)采光裝飾和照明。

目前，實(shí)現(xiàn)高亮度LED的關(guān)鍵包括IQE&EQE，GaN基體LED器件的內(nèi)部量子效率，取決于外延層的晶體結(jié)構(gòu)；外部量子效率取決于制程端的光提取效率。

由于GaN自身及外部界面造成的高折射率會(huì)引發(fā)光子重新吸收的反效應(yīng)，LED器件的光提取效率一直不高。

現(xiàn)有技術(shù)中，ITO(銦錫金屬氧化物)作為LED芯片常用的透明導(dǎo)電薄膜，具有很好的導(dǎo)電性和高透過率，但是ITO處于平面結(jié)構(gòu)，光子在出光界面很容易產(chǎn)生全反射，一定程度上降低了光提取效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種LED芯片及其制造方法。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的之一，本發(fā)明一實(shí)施方式提供一種LED芯片，包括襯底及位于所述襯底上的LED外延結(jié)構(gòu)，所述LED芯片還包括位于所述外延結(jié)構(gòu)上方的透明導(dǎo)電層及鈍化層，所述透明導(dǎo)電層及所述鈍化層的至少其中之一上具有若干開槽。

作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述透明導(dǎo)電層上具有第一開槽，所述鈍化層上具有第二開槽。

作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一開槽與所述第二開槽相互錯(cuò)開設(shè)置。

作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一開槽和/或所述第二開槽為周期性半球狀開槽。

作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一開槽的深度小于所述透明導(dǎo)電層的厚度。

作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述LED芯片包括位于所述LED外延結(jié)構(gòu)中P電極區(qū)域上方的P電極和N電極區(qū)域上方的N電極，所述透明導(dǎo)電層至少覆蓋除所述P電極以外的所述P電極區(qū)域，所述鈍化層覆蓋除所述P電極、所述N電極以外的所述P電極區(qū)域、所述N電極區(qū)域。

作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，所述LED芯片還包括至少位于所述透明導(dǎo)電層及所述P電極區(qū)域之間的電流阻擋層。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的之一，本發(fā)明一實(shí)施方式提供一種LED芯片的制造方法，包括步驟：

提供一襯底；

于所述襯底上形成LED外延結(jié)構(gòu)；

于所述LED外延結(jié)構(gòu)上依次生長透明導(dǎo)電層及鈍化層，所述透明導(dǎo)電層及所述鈍化層的至少其中之一上具有若干開槽。

作為本發(fā)明一實(shí)施方式的進(jìn)一步改進(jìn)，步驟“于所述LED外延結(jié)構(gòu)上依次生長透明導(dǎo)電層及鈍化層”具體包括：

于所述LED外延結(jié)構(gòu)上生長透明導(dǎo)電層；

于所述透明導(dǎo)電層上形成第一開槽；

于所述透明導(dǎo)電層上形成鈍化層；

于所述鈍化層上形成第二開槽。