[發明專利]LED芯片及其制造方法在審
| 申請號： | 201810306935.0 | 申請日： | 2018-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN108321274A | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 李慶;劉佳擎;張振 | 申請（專利權）人： | 聚燦光電科技（宿遷）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/42 | 分類號： | H01L33/42;H01L33/40;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈曉敏 |
| 地址： | 223800 江蘇省宿遷市經濟*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 透明導電層 鈍化層 開槽 襯底 外延結構 漫反射 出射 制造 發光 | ||
1.一種LED芯片，包括襯底及位于所述襯底上的LED外延結構，其特征在于，所述LED芯片還包括位于所述外延結構上方的透明導電層及鈍化層，所述透明導電層及所述鈍化層的至少其中之一上具有若干開槽。
2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層上具有第一開槽，所述鈍化層上具有第二開槽。
3.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一開槽與所述第二開槽相互錯開設置。
4.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一開槽和/或所述第二開槽為周期性半球狀開槽。
5.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一開槽的深度小于所述透明導電層的厚度。
6.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括位于所述LED外延結構中P電極區域上方的P電極和N電極區域上方的N電極，所述透明導電層至少覆蓋除所述P電極以外的所述P電極區域，所述鈍化層覆蓋除所述P電極、所述N電極以外的所述P電極區域、所述N電極區域。
7.根據權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片還包括至少位于所述透明導電層及所述P電極區域之間的電流阻擋層。
8.一種LED芯片的制造方法，其特征在于包括步驟：
提供一襯底；
于所述襯底上形成LED外延結構；
于所述LED外延結構上依次生長透明導電層及鈍化層，所述透明導電層及所述鈍化層的至少其中之一上具有若干開槽。
9.根據權利要求8所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，步驟“于所述LED外延結構上依次生長透明導電層及鈍化層”具體包括：
于所述LED外延結構上生長透明導電層；
于所述透明導電層上形成第一開槽；
于所述透明導電層上形成鈍化層；
于所述鈍化層上形成第二開槽。
10.根據權利要求9所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述第一開槽與所述第二開槽相互錯開設置。
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