[發明專利]具有薄而致密的柱狀TBC層的熱障系統及其形成方法在審
| 申請號: | 201810304747.4 | 申請日: | 2018-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN108690945A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發明(設計)人: | M.D.克拉克;D.G.科尼策爾 | 申請(專利權)人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | C23C4/134 | 分類號: | C23C4/134;C23C4/11;C23C4/18;C23C14/08;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/56 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐晶;萬雪松 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 致密 涂層體系 基材 柱狀 粘結涂層 表面連接 陶瓷材料 孔隙度 熱障 | ||
1.一種設置在基材的表面上的涂層體系,所述涂層體系包括:
在所述基材的表面上的粘結涂層;
在所述粘結涂層上的致密TBC層,其中所述致密TBC層包含陶瓷材料,并且其中所述致密TBC層具有約15%或更小的孔隙度;和
在所述致密TBC層上的柱狀TBC層,其中所述柱狀TBC層限定多個細長表面連接的空隙。
2.根據權利要求1所述的涂層體系,其中所述陶瓷材料包含氧化鉿、氧化鋯或其混合物。
3.根據權利要求1所述的涂層體系,其中所述陶瓷材料包含穩定的氧化鉿、穩定的氧化鋯或其混合物。
4.根據權利要求1所述的涂層體系,其中所述陶瓷材料包含氧化釔穩定的氧化鋯、氧化鈰穩定的氧化鋯、氧化鈣穩定的氧化鋯、氧化鈧穩定的氧化鋯、氧化鎂穩定的氧化鋯、氧化銦穩定的氧化鋯、氧化鐿穩定的氧化鋯、氧化鑭穩定的氧化鋯、氧化釓穩定的氧化鋯或其混合物。
5.根據權利要求1所述的涂層體系,其中所述柱狀TBC層具有約25微米至約2000微米的厚度。
6.根據權利要求5所述的涂層體系,其中所述致密TBC層具有的厚度約為所述柱狀TBC層的厚度的一半或更小。
7.根據權利要求5所述的涂層體系,其中所述致密TBC層具有的厚度為所述柱狀TBC層的厚度的約1/4至約1/8。
8.根據權利要求1所述的涂層體系,其中所述致密TBC層具有約0.1%至約10%的孔隙度。
9.根據權利要求1所述的涂層體系,所述涂層體系還包括:
在所述粘結涂層上的熱生長的氧化物,其中所述熱生長的氧化物位于所述粘結涂層和所述致密TBC層之間。
10.一種在基材的表面上形成涂層體系的方法,所述方法包括:
在上覆基材的粘結涂層上形成致密TBC層,其中所述致密TBC層包含陶瓷材料,并且其中所述致密TBC層形成為約15%或更小的孔隙度;和
在所述致密TBC層上施加柱狀TBC層,使得所述柱狀TBC層限定多個細長表面連接的空隙。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C4-00 熔融態覆層材料噴鍍法,例如火焰噴鍍法、等離子噴鍍法或放電噴鍍法的鍍覆
C23C4-02 .待鍍材料的預處理,例如為了在選定的表面區域鍍覆
C23C4-04 .以鍍覆材料為特征的
C23C4-12 .以噴鍍方法為特征的
C23C4-18 .后處理
C23C4-14 ..用于長形材料的鍍覆





