[發明專利]一種GPP芯片清洗溶液及清洗工藝

在審

• 申請號: 201810302171.8
• 申請日: 2018-04-04
• 公開（公告）號: CN108559661A
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 張運;孫者利;王大勇
• 申請（專利權）人: 濟南卓微電子有限公司
• 主分類號: C11D7/18
• 分類號: C11D7/18;C11D7/08;C11D7/04;C11D7/60;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種GPP芯片清洗溶液及清洗工藝，清洗溶液包括1#液和2#液，其中1#液按重量份為：純水6?9份，質量濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的氨水1份；2#液：純水6?9份，濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的鹽酸1份。通過改變溶液配比，使溶液可以直接加熱至沸騰狀態，形成恒溫。

技術領域

本發明涉及GPP芯片清洗技術領域，特別是涉及一種GPP芯片清洗溶液及清洗工藝。

背景技術

目前GPP芯片采用RCA清洗工藝，清洗溶液需要控制在75±5℃，恒溫過程耗時、費力，要求設備控溫能力好，一旦溫度過低、過高芯片易成為不良品，最終良率低，硅片和化學品浪費嚴重。

如何控制清洗溶液處于恒溫狀態，提高芯片良率，是本發明需要解決的技術問題。

發明內容

本發明就是針對上述存在的缺陷而提供一種GPP芯片清洗溶液及清洗工藝?，F在通過改變工藝參數，溶液配比進行改變，使溶液可以直接加熱至沸騰狀態，形成恒溫，易控制操作，提高了效率，還有效地提高了芯片良率。

本發明中所述的濃度是指質量濃度，份是指體積比例。

本發明的一種GPP芯片清洗溶液及清洗工藝技術方案為，一種GPP芯片清洗溶液，包括1#液和2#液，其中1#液按重量份為：純水6-9份，質量濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的氨水1份；2#液：純水6-9份，濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的鹽酸1份。

溶液工作狀態為沸騰狀態。

1#液按重量份為：純水9份，質量濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的氨水1份；2#液：純水9份，濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的鹽酸1份。該配比使用起來最節約，成本最低。

1#液按重量份為：純水6份，質量濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的氨水1份；2#液：純水9份，濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的鹽酸1份。該配比清洗硅片驗證效果最好。

一種GPP芯片清洗工藝，采用如權利要求1所述的GPP芯片清洗溶液。

所述的一種GPP芯片清洗工藝，包括以下步驟：

（1）硅片在花籃中沖純水待清洗；

（2）在石英鍋中按比例加入沸純水，過氧化氫，氨水，配置好1#液，快速加熱至沸騰，約用時1-2分鐘；

（3）將盛硅片的花籃放入1#液中，煮8-10分鐘；

（4）提出花籃，放入純水中沖8-10分鐘；

（5）在石英鍋中按比例加入沸純水，過氧化氫，鹽酸，配置好2#液，快速加熱至沸騰，約用時1-2分鐘；

（6）將盛硅片的花籃放入2#液中，煮8-10分鐘；

（7）提出花籃，放入純水中沖8-10分鐘；

（8）提出花籃，放入烤箱烘干，清洗完畢。

本發明溶液能保持恒溫的原理：水在1個標準大氣壓下，沸點穩定是100℃，在加入少量化學品配成溶液后，仍能保持這種恒溫的特性，沸點上下變化不大。

1#液作用為，過氧化氫氧化硅表面形成二氧化硅，在氨水中的氫氧根離子的作用下，表面被蝕刻，這樣，任何有機的和顆粒狀的雜質在硅片表面被蝕刻時均被去除。NH4OH通過與金屬離子形成絡合物，也協助去除一些金屬雜質。

2#液作用為，鹽酸和重金屬離子形成可溶性的鹽酸鹽，以去除重金屬雜質；過氧化氫氧化硅表面雜質，與鹽酸一起去除堿金屬離子與堿金屬氫氧化物。