[發明專利]一種GPP芯片清洗溶液及清洗工藝在審
| 申請號： | 201810302171.8 | 申請日： | 2018-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN108559661A | 公開（公告）日： | 2018-09-21 |
| 發明（設計）人： | 張運;孫者利;王大勇 | 申請（專利權）人： | 濟南卓微電子有限公司 |
| 主分類號： | C11D7/18 | 分類號： | C11D7/18;C11D7/08;C11D7/04;C11D7/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250200 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 清洗溶液 過氧化氫 清洗工藝 氨水 沸騰狀態 溶液配比 直接加熱 重量份 鹽酸 | ||
1.一種GPP芯片清洗溶液，其特征在于，包括1#液和2#液，其中1#液按重量份為：純水6-9份，質量濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的氨水1份；2#液：純水6-9份，濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的鹽酸1份。
2.根據權利要求1所述的一種GPP芯片清洗溶液，其特征在于，溶液工作狀態為沸騰狀態。
3.根據權利要求1所述的一種GPP芯片清洗溶液，其特征在于，1#液按重量份為：純水9份，質量濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的氨水1份；2#液：純水9份，濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的鹽酸1份。
4.根據權利要求1所述的一種GPP芯片清洗溶液，其特征在于，1#液按重量份為：純水6份，質量濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的氨水1份；2#液：純水9份，濃度為35%的過氧化氫2份，濃度為35%的鹽酸1份。
5.一種GPP芯片清洗工藝，其特征在于，采用如權利要求1所述的GPP芯片清洗溶液。
6.根據權利要求5所述的一種GPP芯片清洗工藝，其特征在于，包括以下步驟：
（1）硅片在花籃中沖純水待清洗；
（2）在石英鍋中按比例加入沸純水，過氧化氫，氨水，配置好1#液，快速加熱至沸騰；
（3）將盛硅片的花籃放入1#液中，煮8-10分鐘；
（4）提出花籃，放入純水中沖8-10分鐘；
（5）在石英鍋中按比例加入沸純水，過氧化氫，鹽酸，配置好2#液，快速加熱至沸騰；
（6）將盛硅片的花籃放入2#液中，煮8-10分鐘；
（7）提出花籃，放入純水中沖8-10分鐘；
（8）提出花籃，放入烤箱烘干，清洗完畢。
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