[發明專利]一種圖像傳感器及其器件鄰近結構

有效

• 申請號: 201810302072.X
• 申請日: 2018-04-04
• 公開（公告）號: CN108336105B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 孫鵬;王喜龍;胡勝
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種圖像傳感器及其器件鄰近結構，包括：襯底，襯底中制備有像素器件，像素器件中包括至少一個白光光電二極管；第一氧化層，覆蓋襯底的上表面；氧化鋁層，覆蓋第一氧化層的上表面；所形成的器件鄰近結構具有較高的電荷鈍化性能，從而使得形成的像素器件電性能力更強。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種圖像傳感器及其器件鄰近結構。

背景技術

圖像傳感器，或稱感光元件，是一種將光學圖像轉換成電子信號的設備，它被廣泛地應用在數碼相機和其他電子光學設備中。對于CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor互補金屬氧化物半導體，簡稱CMOS)像素器件的圖像傳感器，一般會在晶圓中制備光電二極管陣列，并且該光電二極管陣列中包括多種光色的光電二極管，例如白光光電二極管。

一般的光電二極管區域在器件的鄰近結構處，自由狀態電荷束縛能力較弱，容易導致CMOS器件中白光光電二極管的性能較差。

發明內容

針對上述問題，本發明提出了一種圖像傳感器的器件鄰近結構，其中，包括：

襯底，所述襯底中制備有像素器件，所述像素器件中包括至少一個白光光電二極管；

第一氧化層，覆蓋所述襯底的上表面；

氧化鋁層，覆蓋所述第一氧化層的上表面。

上述的器件鄰近結構，其中，還包括：

第二氧化層，覆蓋所述氧化鋁層的上表面。

上述的器件鄰近結構，其中，所述第二氧化層為二氧化硅。

上述的器件鄰近結構，其中，所述第一氧化層為二氧化硅。

上述的器件鄰近結構，其中，所述襯底為硅。

上述的器件鄰近結構，其中，所述襯底中形成有圍繞于所述白光光電二極管周圍的耗盡層。

一種圖像傳感器，其中，應用如上任一所述的器件鄰近結構。

上述的圖像傳感器，其中，所述圖像傳感器為前照式圖像傳感器。

上述的圖像傳感器，其中，所述圖像傳感器為背照式圖像傳感器。

有益效果：本發明提出的一種圖像傳感器及其器件鄰近結構，具有較高的電荷鈍化性能，從而使得形成的像素器件電性能力更強。

附圖說明

圖1為本發明一實施例中圖像傳感器的器件鄰近結構的結構原理圖；

圖2為本發明一實施例中圖像傳感器的器件鄰近結構與傳統鄰近結構的效果對比圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明進行進一步說明。

實施例一

在一個較佳的實施例中，如圖1所示，提出了一種圖像傳感器的器件鄰近結構，其中，可以包括：

襯底10，襯底10中制備有像素器件，像素器件中包括至少一個白光光電二極管；

第一氧化層20，覆蓋襯底10的上表面；

氧化鋁層30，覆蓋第一氧化層20的上表面。