[發(fā)明專利]一種圖像傳感器及其器件鄰近結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810302072.X | 申請日: | 2018-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN108336105B | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫鵬;王喜龍;胡勝 | 申請(專利權)人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素器件 襯底 圖像傳感器 鄰近 上表面 氧化層 半導體技術領域 光電二極管 氧化鋁層 電荷 白光 電性 鈍化 覆蓋 制備 | ||
1.一種圖像傳感器的器件鄰近結構,其特征在于,包括:
襯底,所述襯底中制備有像素器件,所述像素器件中包括至少一個白光光電二極管;
第一氧化層,覆蓋所述襯底的上表面;
氧化鋁層,覆蓋所述第一氧化層的上表面;
其中,所述襯底中形成有圍繞于所述白光光電二極管周圍的耗盡層,所述氧化鋁層使所述耗盡層拓寬。
2.根據(jù)權利要求1所述的器件鄰近結構,其特征在于,還包括:
第二氧化層,覆蓋所述氧化鋁層的上表面。
3.根據(jù)權利要求2所述的器件鄰近結構,其特征在于,所述第二氧化層為二氧化硅。
4.根據(jù)權利要求1所述的器件鄰近結構,其特征在于,所述第一氧化層為二氧化硅。
5.根據(jù)權利要求1所述的器件鄰近結構,其特征在于,所述襯底為硅。
6.一種圖像傳感器,其特征在于,應用如權利要求1~5中任一所述的器件鄰近結構。
7.根據(jù)權利要求6所述的圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器為前照式圖像傳感器。
8.根據(jù)權利要求6所述的圖像傳感器,其特征在于,所述圖像傳感器為背照式圖像傳感器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢新芯集成電路制造有限公司,未經武漢新芯集成電路制造有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810302072.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





