[發明專利]半導體制造裝置、故障預知方法及存儲介質有效
| 申請號: | 201810301919.2 | 申請日: | 2018-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN108695211B | 公開(公告)日: | 2023-10-20 |
| 發明(設計)人: | 藤方淳平;荒木裕二;佐藤天星;小泉龍也 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C23C14/04 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人: | 張麗穎 |
| 地址: | 日本國東京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 制造 裝置 故障 預知 方法 存儲 介質 | ||
本發明提供半導體制造裝置、故障預知方法、存儲介質及管理系統,能夠提高半導體制造裝置的故障預知精度。半導體制造裝置具備:第一裝置;一個或多個傳感器,檢測表示第一裝置的狀態的物理量;第一算出電路,根據所檢測出的物理量算出第一裝置的一個或多個特征量;以及故障預知電路,將由第一算出電路算出的一個或多個特征量與直至第一裝置發生故障為止的一個或多個特征量的經時變化的多個模型數據進行比較,決定多個模型數據中的與所算出的一個或多個特征量的差為最小的模型數據,根據在該模型數據中與所算出的一個或多個特征量的差成為最小的時刻與故障時刻的差算出故障預測時間,在故障預測時間小于規定的閾值的情況下,停止新的基板的接收。
技術領域
本發明涉及半導體制造裝置、半導體制造裝置的故障預知方法以及半導體制造裝置的故障預知程序。
背景技術
以往,進行在半導體晶片、印刷基板等基板的表面形成布線、凸部(突起狀電極)等的處理。作為形成該布線以及凸部等的方法,已知有電鍍法。在進行電鍍的鍍敷裝置,包括多個由馬達驅動的機構。已知這樣的馬達伴隨著與鍍敷裝置的使用相伴的年久老化等,馬達負荷率增加。在馬達負荷率超過容許值的情況下,馬達出現錯誤而變得無法動作。由于這種情況在裝置的通常工作中突然產生,所以在此之后的裝置變得不能工作,鍍敷處理中的基板成為廢料。
作為鍍敷裝置的例子,有例如記載于專利文獻1的裝置。在該鍍敷裝置中,為了在鍍敷槽10中向基板W供給充分的離子,將攪拌鍍敷液的槳與基板W相鄰而配置。槳通過馬達44的動力而往復運動。如果馬達44因故障等而停止,則槳的驅動被停止,鍍敷處理中的基板成為廢料。除了槳以外,作為在鍍敷裝置中由馬達驅動的機構,有運輸機的行走·升降軸、用于鎖定基板裝卸部中的基板保持件的旋轉軸等。
另外,在傳感器中也存在由于產生長期的使用而引起的傳感器靈敏度的劣化、位置偏移,從而產生突發的錯誤檢測的情況。產生傳感器的錯誤檢測而產生錯誤時,在此之后的裝置變得不能工作,鍍敷處理中的基板成為廢料。
在這樣的鍍敷裝置以外的、例如、CVD裝置、研磨或者磨削裝置、切割裝置、密封裝置這樣的半導體制造裝置中,也使用馬達、傳感器。于是,設于這些半導體制造裝置的馬達或傳感器在基板的處理中突發性地故障或產生錯誤時,變得不能進行裝置的運轉/工作,由此,根據情況也存在處理中的基板成為廢料、或者裝置的工作效率變差的擔憂。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第5184308號說明書
專利文獻2:日本特開2016-127069號公報
專利文獻3:日本特開2014-169475號公報
發明內容
本發明的目的是解決上述課題的至少一部分。
根據本發明的一方式,提供一種半導體制造裝置。該半導體制造裝置具備:第一裝置;一個或多個傳感器,檢測表示所述第一裝置的狀態的物理量;第一算出電路,根據所檢測出的所述物理量算出所述第一裝置的一個或多個特征量;以及故障預知電路,將由所述第一算出電路算出的一個或多個特征量與直至所述第一裝置發生故障為止的一個或多個特征量的經時變化的多個模型數據進行比較,來決定所述多個模型數據中的與所算出的所述一個或多個特征量的差為最小的模型數據,根據在該模型數據中與所算出的所述一個或多個特征量的差成為最小的時刻與故障時刻的差來算出故障預測時間,在故障預測時間小于規定的閾值的情況下,停止新的基板的接收。第一算出電路以及故障預知電路能夠由執行上述處理的程序和執行該程序的計算機構成。另外,第一算出電路以及故障預知電路也可以由ASIC、PLC等面向特定用途的集成電路等專用的硬件構成。第一算出電路以及故障預知電路也可以將它們功能分割為多個裝置(多個計算機、多個特定用途的硬件或者一個或多個計算機和一個或多個特定用途的硬件的組合)來實現。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





