[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制造裝置、故障預(yù)知方法及存儲介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810301919.2
• 申請日: 2018-04-04
• 公開（公告）號: CN108695211B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤方淳平;荒木裕二;佐藤天星;小泉龍也
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社荏原制作所
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C14/04
• 代理公司: 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300
• 代理人: 張麗穎

1.一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，具備：

第一裝置；

一個(gè)或多個(gè)傳感器，檢測表示所述第一裝置的狀態(tài)的物理量；

第一算出電路，根據(jù)所檢測出的所述物理量算出所述第一裝置的一個(gè)或多個(gè)特征量；以及

故障預(yù)知電路，將由所述第一算出電路算出的一個(gè)或多個(gè)特征量與直至所述第一裝置發(fā)生故障為止的一個(gè)或多個(gè)特征量的經(jīng)時(shí)變化的多個(gè)模型數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，決定所述多個(gè)模型數(shù)據(jù)中的與所算出的所述一個(gè)或多個(gè)特征量的差為最小的模型數(shù)據(jù)，根據(jù)在該模型數(shù)據(jù)中與所算出的所述一個(gè)或多個(gè)特征量的差成為最小的時(shí)刻與故障時(shí)刻的差算出故障預(yù)測時(shí)間，在故障預(yù)測時(shí)間小于規(guī)定的閾值的情況下，停止新的基板的接收。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

還具備識別電路，該識別電路通過基于所述第一裝置的正常時(shí)的一個(gè)或多個(gè)特征量的集合和所述第一裝置的異常時(shí)的一個(gè)或多個(gè)特征量的集合的機(jī)械學(xué)習(xí)而生成，

通過所述識別電路，對計(jì)測出的所述第一裝置的一個(gè)或多個(gè)特征量進(jìn)行評價(jià)，對所述第一裝置的正?；虍惓＿M(jìn)行判定，

在由所述識別電路判定為異常的情況下，執(zhí)行所述故障預(yù)知電路的處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

通過更新所述正常時(shí)的一個(gè)或多個(gè)特征量的集合和/或所述異常時(shí)的一個(gè)或多個(gè)特征量的集合而更新所述識別電路的判定基準(zhǔn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

還具備模型數(shù)據(jù)生成電路，該模型數(shù)據(jù)生成電路生成直至所述第一裝置發(fā)生故障為止的一個(gè)或多個(gè)特征量的經(jīng)時(shí)變化的多個(gè)模型數(shù)據(jù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

所述第一裝置是馬達(dá)，

所述物理量包括所述馬達(dá)的負(fù)荷率、振動、聲音和溫度中的至少一個(gè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

所述特征量包括所述負(fù)荷率、所述振動、所述聲音的波形振幅、漸近線的傾斜、頻率光譜、總體值、波形峰值分布的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差中的至少一個(gè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

所述第一裝置是槳裝置，

所述特征量包括槳的傳動軸的位移振幅、位移速度、位移加速度和傾斜中的至少一個(gè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

所述第一裝置是傳感器，

所述特征量包括所述傳感器的檢測延遲時(shí)間、抖動次數(shù)和抖動持續(xù)時(shí)間中的至少一個(gè)。

9.一種半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，具備：

第一裝置；

一個(gè)或多個(gè)傳感器，檢測表示所述第一裝置的狀態(tài)的物理量；

第一算出電路，根據(jù)所檢測出的所述物理量算出所述第一裝置的一個(gè)或多個(gè)特征量；以及

故障預(yù)知電路，對由所述第一算出電路算出的一個(gè)或多個(gè)特征量的時(shí)間變化進(jìn)行監(jiān)視，在所述一個(gè)或多個(gè)特征量與正常時(shí)的特征量的乖離率增加的時(shí)間超過第一時(shí)間的情況、和/或所述一個(gè)或多個(gè)特征量與正常時(shí)的特征量的乖離率每單位時(shí)間進(jìn)行增減的次數(shù)超過第一次數(shù)的情況下，停止新的基板的接收。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

還具備識別電路，該識別電路基于所述第一裝置的正常時(shí)的一個(gè)或多個(gè)特征量的集合，對計(jì)測出的所述第一裝置的一個(gè)或多個(gè)特征量進(jìn)行評價(jià)，從而對所述第一裝置的正常或異常進(jìn)行判定，

在由所述識別電路判定為異常的情況下，執(zhí)行所述故障預(yù)知電路的處理。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體制造裝置，其特征在于，

通過追加正常時(shí)的一個(gè)或多個(gè)特征量的集合且累計(jì)正常時(shí)的一個(gè)或多個(gè)特征量的集合而更新所述識別電路的判定基準(zhǔn)。