[發明專利]一種OLED基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201810293751.5 | 申請日: | 2018-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN108400153B | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發明(設計)人: | 胡春靜 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 張雨竹 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明的實施例提供一種OLED基板及其制備方法、顯示裝置,涉及顯示技術領域,可提高發光均勻性。一種OLED基板,包括:襯底、設置于所述襯底上子像素區域的OLED器件,所述OLED器件有機層的中間區域厚度與邊緣區域厚度不同;所述OLED基板還包括設置于所述襯底上子像素區域且位于所述有機層出光側的透過率調節層,所述透過率調節層對應所述有機層中厚度較厚區域的透過率大于對應所述有機層中厚度較薄區域的透過率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機電致發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器相對于液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優點,被認為是下一代顯示技術。
OLED顯示器中各子像素的有機層制備方法主要有真空蒸鍍和溶液制程兩種。真空蒸鍍適用于有機小分子,其成膜均勻好、技術相對成熟、但是設備投資大、材料利用率低、大尺寸產品掩模板(Mask)對位精度低。溶液制程,包括旋涂、噴墨打印、噴嘴涂覆法等,適用于聚合物材料和可溶性小分子,其特點是設備成本低,在大規模、大尺寸生產上優勢突出。
特別是噴墨打印技術,能將溶液精準的噴墨到子像素區中。但是其最大的難點是有機溶液在子像素區內難以形成厚度均一的有機層。
具體的,像素界定層(PDL)分為親液和疏液兩種。對于親液的PDL,在子像素區內容易形成邊緣區域厚中間區域薄的有機層21(如圖1所示)。對于疏液的PDL,在子像素內容易形成邊緣區域薄中間區域厚的有機層21(如圖2所示)。在此基礎上,會導致子像素的發光亮度不均勻。例如,對于圖1的情況,會出現如圖3所示的發光不均勻現象。
發明內容
本發明的實施例提供一種OLED基板及其制備方法、顯示裝置,可提高發光均勻性。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
第一方面,提供一種OLED基板,包括:襯底、設置于所述襯底上子像素區域的OLED器件,所述OLED器件有機層的中間區域厚度與邊緣區域厚度不同;所述OLED基板還包括設置于所述襯底上子像素區域且位于所述有機層出光側的透過率調節層,所述透過率調節層對應所述有機層中厚度較厚區域的透過率大于對應所述有機層中厚度較薄區域的透過率。
可選的,所述有機層呈中間區域厚邊緣區域薄;所述透過率調節層呈中間區域薄邊緣區域厚;或者,所述有機層呈中間區域薄邊緣區域厚;所述透過率調節層呈中間區域厚邊緣區域薄。
進一步可選的,所述透過率調節層為彩膜層。
可選的,所述OLED器件為底發射OLED器件。
可選的,所述OLED基板還包括設置于所述襯底上子像素區域的薄膜晶體管。
第二方面,提供一種顯示裝置,包括第一方面所述的OLED基板。
第三方面,提供一種OLED基板的制備方法,包括:在襯底上子像素區域形成OLED器件,所述OLED器件的有機層至少采用噴墨打印工藝形成,使得所述有機層的中間區域厚度與邊緣區域厚度不同;所述制備方法還包括:在所述襯底上子像素區域且在所述有機層出光一側形成透過率調節層,所述透過率調節層對應所述有機層中厚度較厚區域的透過率大于對應所述有機層中厚度較薄區域的透過率。
可選的,所述有機層呈中間區域厚邊緣區域薄;所述透過率調節層呈中間區域薄邊緣區域厚;或者,所述有機層呈中間區域薄邊緣區域厚;所述透過率調節層呈中間區域厚邊緣區域薄。
進一步可選的,所述透過率調節層為彩膜層。
可選的,所述透過率調節層利用半色調掩模板,通過曝光、顯影工藝形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





