[發明專利]一種OLED基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號： | 201810293751.5 | 申請日： | 2018-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN108400153B | 公開（公告）日： | 2021-01-26 |
| 發明（設計）人： | 胡春靜 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 張雨竹 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 oled 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種OLED基板，包括：襯底、設置于所述襯底上子像素區域的OLED器件，所述OLED器件有機層的中間區域厚度與邊緣區域厚度不同；
所述OLED基板還包括設置于所述襯底上子像素區域且位于所述有機層出光側的透過率調節層，所述透過率調節層對應所述有機層中厚度較厚區域的透過率大于對應所述有機層中厚度較薄區域的透過率；
所述有機層呈中間區域厚邊緣區域薄；所述透過率調節層呈中間區域薄邊緣區域厚；或者，
所述有機層呈中間區域薄邊緣區域厚；所述透過率調節層呈中間區域厚邊緣區域薄；
所述透過率調節層為彩膜層。
2.根據權利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述OLED器件為底發射OLED器件。
3.根據權利要求1-2任一項所述的OLED基板，其特征在于，還包括設置于所述襯底上子像素區域的薄膜晶體管。
4.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-3任一項所述的OLED基板。
5.一種OLED基板的制備方法，包括：在襯底上子像素區域形成OLED器件，所述OLED器件的有機層至少采用噴墨打印工藝形成，使得所述有機層的中間區域厚度與邊緣區域厚度不同；其特征在于，
所述制備方法還包括：在所述襯底上子像素區域且在所述有機層出光一側形成透過率調節層，所述透過率調節層對應所述有機層中厚度較厚區域的透過率大于對應所述有機層中厚度較薄區域的透過率。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述有機層呈中間區域厚邊緣區域薄；所述透過率調節層呈中間區域薄邊緣區域厚；或者，
所述有機層呈中間區域薄邊緣區域厚；所述透過率調節層呈中間區域厚邊緣區域薄。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述透過率調節層為彩膜層。
8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于，所述透過率調節層利用半色調掩模板，通過曝光、顯影工藝形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
