[發(fā)明專利]基板及其制作方法、電子裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810293281.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110323228B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高玟虎;董婉俐 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L23/60;H01L21/70 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 及其 制作方法 電子 裝置 | ||
一種基板及其制作方法、電子裝置。該基板包括工作區(qū)域、位于工作區(qū)域周邊的非工作區(qū)、襯底基板、周邊電路和公共電極引線。襯底基板包括外輪廓邊緣;周邊電路設(shè)置于非工作區(qū);公共電極引線沿襯底基板的至少部分外輪廓邊緣設(shè)置;公共電極引線位于周邊電路的靠近工作區(qū)域的一側(cè)。該基板中,公共電極引線能夠與公共電極直接接觸以實(shí)現(xiàn)公共電極引線與公共電極電連接,從而能夠減小信號(hào)由公共電極引線傳導(dǎo)至公共電極的電路的電阻,并且應(yīng)用該基板的電子裝置能夠具有較窄的邊框。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)至少一實(shí)施例涉及一種基板及其制作方法、電子裝置。
背景技術(shù)
在顯示基板中,電路(例如驅(qū)動(dòng)電路)中的連接線的電阻偏大會(huì)造成電路中信號(hào)傳輸速度減慢,從而造成顯示畫(huà)面亮度不均等問(wèn)題,影響顯示質(zhì)量。另外,隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,人們對(duì)窄邊框的要求也越來(lái)越高。
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供一種基板,包括工作區(qū)域、位于所述工作區(qū)域周邊的非工作區(qū)、襯底基板、周邊電路和公共電極引線,襯底基板包括外輪廓邊緣;周邊電路設(shè)置于所述非工作區(qū);公共電極引線沿所述襯底基板的至少部分外輪廓邊緣設(shè)置;所述公共電極引線位于所述周邊電路的靠近所述工作區(qū)域的一側(cè)。
例如,本公開(kāi)一實(shí)施例提供的基板還包括公共電極,所述公共電極由所述工作區(qū)域延伸至所述周邊區(qū)域;所述公共電極與至少部分所述公共電極引線直接接觸,以實(shí)現(xiàn)所述公共電極與所述公共電極引線電連接。
例如,本公開(kāi)一實(shí)施例提供的基板還包括覆蓋所述周邊電路和所述公共電極引線的平坦層,所述公共電極位于所述平坦層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);所述平坦層包括暴露至少部分所述公共電極引線的過(guò)孔,所述公共電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述公共電極引線接觸。
例如,本公開(kāi)一實(shí)施例提供的基板中,所述工作區(qū)域包括多個(gè)呈陣列分布的工作單元,每個(gè)所述工作單元包括:第一電極,設(shè)置于所述襯底基板上;功能層,設(shè)置于所述第一電極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);第二電極,設(shè)置于所述功能層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);所述第二電極為所述公共電極。
例如,本公開(kāi)一實(shí)施例提供的基板還包括平坦層,其中,所述公共電極和所述公共電極引線位于所述平坦層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè),且所述公共電極與至少部分所述公共電極引線直接搭接。
例如,本公開(kāi)一實(shí)施例提供的基板中,所述公共電極引線與所述第一電極同層設(shè)置。
例如,本公開(kāi)一實(shí)施例提供的基板還包括靜電保護(hù)層,所述靜電保護(hù)層與所述公共電極引線電連接且覆蓋所述周邊電路。
本公開(kāi)至少一實(shí)施例還提供一種電子裝置,包括本公開(kāi)實(shí)施例提供的任意一種基板。
本公開(kāi)至少一實(shí)施例還提供一種基板制作方法,該基板包括工作區(qū)域和位于工作區(qū)域周邊的非工作區(qū),該制作方法包括:提供襯底基板,所述襯底基板包括外輪廓邊緣;在所述非工作區(qū)中提供周邊電路;以及沿所述襯底基板的至少部分外輪廓邊緣形成公共電極引線;所述公共電極引線位于所述周邊電路的靠近所述工作區(qū)域的一側(cè)。
例如,本公開(kāi)一實(shí)施例提供的基板制作方法還包括形成公共電極,所述公共電極由所述工作區(qū)域延伸至所述周邊區(qū)域,所述公共電極與至少部分所述公共電極引線直接接觸以實(shí)現(xiàn)所述公共電極與所述公共電極引線電連接。
例如,本公開(kāi)一實(shí)施例提供的基板制作方法還包括形成平坦層,所述平坦層覆蓋所述周邊電路和所述公共電極引線,所述公共電極位于所述平坦層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);所述形成平坦層包括在所述平坦層中形成暴露至少部分所述公共電極引線的過(guò)孔,所述公共電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述公共電極引線接觸。
例如,本公開(kāi)一實(shí)施例提供的基板制作方法還包括:在所述工作區(qū)域形成多個(gè)呈陣列分布的工作單元;在每個(gè)所述工作單元形成第一電極和設(shè)置于所述第一電極的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)的功能層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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