[發明專利]基板及其制作方法、電子裝置有效
| 申請號: | 201810293281.2 | 申請日: | 2018-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN110323228B | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發明(設計)人: | 高玟虎;董婉俐 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/60;H01L21/70 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 及其 制作方法 電子 裝置 | ||
1.一種基板,包括:
工作區域、位于所述工作區域周邊的非工作區;
襯底基板,包括外輪廓邊緣;
周邊電路,設置于所述非工作區;以及
公共電極引線,沿所述襯底基板的至少部分外輪廓邊緣設置;
其中,所述公共電極引線位于所述周邊電路的靠近所述工作區域的一側,所述周邊電路為柵極驅動(Gate Driver On Array,GOA)電路;
在從所述非工作區到所述工作區域的方向上,所述公共電極引線與所述公共電極的位于所述工作區的部分之間不存在導電層,并且,所述非工作區中在垂直于襯底基板的方向上,所述公共電極與公共電極引線之間不存在其他層,所述公共電極與所述公共電極引線的遠離所述襯底基板的上表面以及靠近所述工作區域的側表面均直接接觸。
2.根據權利要求1所述的基板,還包括公共電極,其中,
所述公共電極由所述工作區域延伸至所述非工作區;
所述公共電極與至少部分所述公共電極引線直接接觸,以實現所述公共電極與所述公共電極引線電連接。
3.根據權利要求2所述的基板,還包括覆蓋所述周邊電路和所述公共電極引線的平坦層,
其中,所述公共電極位于所述平坦層的遠離所述襯底基板的一側;所述平坦層包括暴露至少部分所述公共電極引線的過孔,所述公共電極通過所述過孔與所述公共電極引線接觸。
4.根據權利要求2所述的基板,其中,所述工作區域包括多個呈陣列分布的工作單元,每個所述工作單元包括:
第一電極,設置于所述襯底基板上;
功能層,設置于所述第一電極的遠離所述襯底基板的一側;
第二電極,設置于所述功能層的遠離所述襯底基板的一側;
其中,所述第二電極為所述公共電極。
5.根據權利要求4所述的基板,還包括平坦層,其中,所述公共電極和所述公共電極引線位于所述平坦層的遠離所述襯底基板的一側,且所述公共電極與至少部分所述公共電極引線直接搭接。
6.根據權利要求5所述的基板,其中,所述公共電極引線與所述第一電極同層設置。
7.根據權利要求1-6任一所述的基板,還包括靜電保護層,其中,所述靜電保護層覆蓋至少部分所述周邊電路且與所述公共電極引線電連接。
8.一種電子裝置,包括權利要求1-7任一所述的基板。
9.一種基板制作方法,所述基板包括工作區域和位于所述工作區域周邊的非工作區,所述制作方法包括:
提供襯底基板,所述襯底基板包括外輪廓邊緣;
在所述非工作區中提供周邊電路;以及
沿所述襯底基板的至少部分外輪廓邊緣形成公共電極引線;
其中,所述公共電極引線位于所述周邊電路的靠近所述工作區域的一側,所述周邊電路為柵極驅動(Gate Driver On Array,GOA)電路;
在從所述非工作區到所述工作區域的方向上,所述公共電極引線與所述公共電極的位于所述工作區的部分之間不存在導電層,并且,所述非工作區中在垂直于襯底基板的方向上,所述公共電極與公共電極引線之間不存在其他層,所述公共電極與所述公共電極引線的遠離所述襯底基板的上表面以及靠近所述工作區域的側表面均直接接觸。
10.根據權利要求9所述的基板制作方法,還包括形成公共電極,
其中,所述公共電極由所述工作區域延伸至所述非工作區,所述公共電極與至少部分所述公共電極引線直接接觸以實現所述公共電極與所述公共電極引線電連接。
11.根據權利要求10所述的基板制作方法,還包括形成平坦層,
其中,所述平坦層覆蓋所述周邊電路和所述公共電極引線,所述公共電極位于所述平坦層的遠離所述襯底基板的一側;
所述形成平坦層包括在所述平坦層中形成暴露至少部分所述公共電極引線的過孔,所述公共電極通過所述過孔與所述公共電極引線接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





