[發明專利]光電傳感器及其制備方法

在審

• 申請號: 201810291004.8
• 申請日: 2018-04-03
• 公開（公告）號: CN108461509A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 王春雷;趙偉;韓林;蔣昆
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;H01L21/82
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

本發明提供一種光電傳感器及其制備方法，屬于檢測技術領域。本發明的光電傳感器包括：基底，設置在所述基底上的光電二極管，以及與所述光電二極管電性連接的薄膜晶體管，還包括：設置在所述基底上、且背離所述光電二極管的一側的非可見光轉換層，所述非可見光轉換層用于將非可見光轉換成可見光，以供所述光電二極管將所述可見光轉換為電信號。

技術領域

本發明屬于檢測技術領域，具體涉及一種光電傳感器及其制備方法。

背景技術

目前，市場上使用的光電傳感器包括以下兩種類型：直接式光電傳感器、間接式光電傳感器。其中，間接式光電傳感器主要是利用非可見光轉換層2吸收照射在其上的X光，并將該X光轉化為可見光，再利用光電二極管將可見光中的光信號轉化為電信號，最后利用IC(集成電路；Integrated Circuit)對電信號進行處理，以形成X光圖像。直接式光電傳感器主要是利用光電二極管直接吸收X光，并將X光中的光信號轉化為電信號，再利用IC對電信號進行處理，以形成X光圖像。由于X光直接照射在光電二極管上，極易縮短光電二極管的使用壽命，從而降低光電傳感器的壽命，因此，在現有技術中，常采用間接式光電傳感器來形成X光圖像。

然而，發明人發現，如圖1所示，現有的間接式光電傳感器中的非可見光轉換層2和層間絕緣層9之間設置有固體膠7，也就是說，非可見光轉換層2是通過固體膠7貼附在層間絕緣層9上的，事實上，在制備光電傳感器時，該貼附工藝的操作難度大，若非可見光轉換層2與層間絕緣層9發生錯位，極易導致整個光電傳感器報廢，從而降低產品的良率，增加生產光電傳感器的成本。

因此，為解決上述的技術問題，本發明提供了一種新型的光電傳感器。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提供一種結構簡單，便于制備的光電傳感器。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種光電傳感器，包括：基底，設置在所述基底上的光電二極管，以及與所述光電二極管電性連接的薄膜晶體管，還包括：設置在所述基底上、且背離所述光電二極管的一側的非可見光轉換層，所述非可見光轉換層用于將非可見光轉換成可見光，以供所述光電二極管將所述可見光轉換為電信號。

優選的是，所述光電二極管包括：沿背離所述基底方向依次設置的第二極、PIN半導體層、第一極；其中，

所述光電二極管的第一極與所述薄膜晶體管的漏極一體成型。

優選的是，在所述光電二極管的PIN半導體層上設置有層間絕緣層，且在所述層間絕緣層至少與所述PIN半導體層對應的位置處設置有過孔，所述光電二極管的第一極通過所述過孔與所述PIN半導體層連接；

沿著背離所述基底的方向，所述薄膜晶體管的源極、漏極、有源層、柵極依次設置在所述層間絕緣層上。

優選的是，所述第二極的中間位置處設置有容納部，用于容納所述可見光。

優選的是，所述光電傳感器還包括：保護層，設置在所述非可見光轉換層背離所述基底的一側。

優選的是，所述非可見光轉換層的材料包括碘化銫。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種光電傳感器的制備方法，所述光電傳感器為上述的光電傳感器，所述制備方法包括：

在基底上形成非可見光轉換層；

在所述基底上、且背離所述非可見光轉換層的一側，形成光電二極管，以及與所述光電二極管電性連接的薄膜晶體管。

優選的是，所述光電二極管包括：沿背離所述基底方向依次設置的第二極、PIN半導體層、第一極；其中，所述光電二極管的第一極與所述薄膜晶體管的漏極，采用一次構圖工藝形成。