[發明專利]光電傳感器及其制備方法

在審

• 申請號: 201810291004.8
• 申請日: 2018-04-03
• 公開（公告）號: CN108461509A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 王春雷;趙偉;韓林;蔣昆
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/144
• 分類號: H01L27/144;H01L21/82
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種光電傳感器，包括：基底，設置在所述基底上的光電二極管，以及與所述光電二極管電性連接的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：設置在所述基底上、且背離所述光電二極管的一側的非可見光轉換層，所述非可見光轉換層用于將非可見光轉換成可見光，以供所述光電二極管將所述可見光轉換為電信號。

2.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述光電二極管包括：沿背離所述基底方向依次設置的第二極、PIN半導體層、第一極；其中，

所述光電二極管的第一極與所述薄膜晶體管的漏極一體成型。

3.根據權利要求2所述的光電傳感器，其特征在于，在所述光電二極管的PIN半導體層上設置有層間絕緣層，且在所述層間絕緣層至少與所述PIN半導體層對應的位置處設置有過孔，所述光電二極管的第一極通過所述過孔與所述PIN半導體層連接；

沿著背離所述基底的方向，所述薄膜晶體管的源極、漏極、有源層、柵極依次設置在所述層間絕緣層上。

4.根據權利要求2所述的光電傳感器，其特征在于，所述第二極的中間位置處設置有容納部，用于容納所述可見光。

5.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述光電傳感器還包括：保護層，設置在所述非可見光轉換層背離所述基底的一側。

6.根據權利要求1所述的光電傳感器，其特征在于，所述非可見光轉換層的材料包括碘化銫。

7.一種光電傳感器的制備方法，其特征在于，所述光電傳感器為權利要求1-6中任一項所述的光電傳感器，所述制備方法包括：

在基底上形成非可見光轉換層；

在所述基底上、且背離所述非可見光轉換層的一側，形成光電二極管，以及與所述光電二極管電性連接的薄膜晶體管。

8.根據權利要求7所述的光電傳感器的制備方法，其特征在于，所述光電二極管包括：沿背離所述基底方向依次設置的第二極、PIN半導體層、第一極；其中，所述光電二極管的第一極與所述薄膜晶體管的漏極，采用一次構圖工藝形成。

9.根據權利要求8所述的光電傳感器的制備方法，其特征在于，所述在所述基底上、且背離所述非可見光轉換層的一側，形成光電二極管，以及與所述光電二極管電性連接的薄膜晶體管的步驟具體包括：

在所述光電二極管的PIN層上形成層間絕緣層，且在所述層間絕緣層至少與所述PIN半導體層對應的位置處形成過孔；

通過構圖工藝，形成包括薄膜晶體管的源極、漏極，以及光電二極管的第一極的圖形；其中，所述光電二極管的第一極通過所述過孔與所述PIN半導體層連接；

通過構圖工藝，形成包括薄膜晶體管的有源層的圖形；其中，所述薄膜晶體管的源極與所述有源層的源極接觸區連接，所述薄膜晶體管的漏極與所述有源層的漏極接觸區連接；

形成柵極絕緣層；

通過構圖工藝，形成包括薄膜晶體管的柵極的圖形。

10.根據權利要求7所述的光電傳感器的制備方法，其特征在于，所述在基底上形成非可見光轉換層的步驟之后，還包括：在所述非可見光轉換層背離所述基底的一側形成保護層。