[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810288244.2
• 申請(qǐng)日: 2018-04-03
• 公開（公告）號(hào): CN108695391A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜明昊;金慶燮;金貞林;李載明;吳興錫;林蓮花;全眾源
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

本公開提供了半導(dǎo)體器件。一種半導(dǎo)體器件包括第一鰭型圖案，該第一鰭型圖案包括在第一方向上延伸的第一長(zhǎng)側(cè)和在第二方向上延伸的第一短側(cè)。第二鰭型圖案基本上平行于第一鰭型圖案布置。第一柵電極交叉第一鰭型圖案和第二鰭型圖案。第二鰭型圖案包括突出超過第一鰭型圖案的第一短側(cè)的突出部分。第一柵電極與包括第一鰭型圖案的第一短側(cè)的第一鰭型圖案的端部分重疊。限定第一鰭型圖案的第一短側(cè)的第一鰭型圖案的第一側(cè)壁的至少部分由具有第一深度的第一溝槽限定。第一溝槽直接鄰接具有更大的第二深度的第二溝槽。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種半導(dǎo)體器件以及制造該半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)

作為用于提高半導(dǎo)體器件的集成度的按比例縮小技術(shù)，已經(jīng)提出了多柵極晶體管，其中鰭形硅主體形成在基板上而柵極形成在硅主體的表面上。

多柵極晶體管使用允許更大或更小適配(adaptation)的按比例縮小的三維(3D)溝道。此外，這樣的配置允許多柵極晶體管的增強(qiáng)的電流控制，而不需要增大多柵極晶體管的柵極長(zhǎng)度。此外，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知曉的短溝道效應(yīng)(SCE)(其是溝道區(qū)的電勢(shì)受漏極電壓影響的現(xiàn)象)能夠被有效地抑制。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體器件，在該半導(dǎo)體器件中淺溝槽形成在錐形鰭型圖案(tapered fin-type pattern)與有源區(qū)之間的邊界處從而改善操作性能和可靠性。

本公開的實(shí)施方式提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，在該半導(dǎo)體器件中淺溝槽形成在錐形鰭型圖案與有源區(qū)之間的邊界處從而改善操作性能和可靠性。

然而，本公開的實(shí)施方式不限于這里闡述的那些。通過參照以下給出的本公開的詳細(xì)描述，本公開的以上和其它的實(shí)施方式將對(duì)于本公開所屬的領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員來說變得更加明顯。

根據(jù)本公開的一實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件包括：第一鰭型圖案，包括在第一方向上延伸的第一長(zhǎng)側(cè)以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的第一短側(cè)；第二鰭型圖案，平行于第一鰭型圖案布置并包括第二長(zhǎng)側(cè)，該第二長(zhǎng)側(cè)在第一方向上延伸并與第一鰭型圖案的第一長(zhǎng)側(cè)相對(duì)；以及第一柵電極，交叉第一鰭型圖案和第二鰭型圖案，其中第二鰭型圖案包括在第一方向上突出超過第一鰭型圖案的第一短側(cè)的突出部分，第一柵電極與包括第一鰭型圖案的第一短側(cè)的第一鰭型圖案的端部分重疊，限定第一鰭型圖案的第一短側(cè)的第一鰭型圖案的第一側(cè)壁的至少部分由具有第一深度的第一溝槽限定，第一溝槽直接鄰接具有大于第一深度的第二深度的第二溝槽。

根據(jù)本公開的前述和其它的實(shí)施方式，半導(dǎo)體器件包括：第一鰭型圖案，包括在第一方向上延伸的第一長(zhǎng)側(cè)以及在不同于第一方向的第二方向上延伸的第一短側(cè)；第二鰭型圖案，平行于第一鰭型圖案布置并包括第二長(zhǎng)側(cè)，第二長(zhǎng)側(cè)在第一方向上延伸并與第一鰭型圖案的第一長(zhǎng)側(cè)相對(duì)；以及場(chǎng)絕緣膜，圍繞第一鰭型圖案的部分和第二鰭型圖案的部分，其中第二鰭型圖案包括在第一方向上突出超過第一鰭型圖案的第一短側(cè)的突出部分，限定第一鰭型圖案的第一短側(cè)的第一鰭型圖案的側(cè)壁由具有第一深度的第一溝槽的側(cè)壁限定，第一溝槽的所述側(cè)壁連接到具有第二深度的第二溝槽的側(cè)壁，第二深度大于第一深度，并且相對(duì)于第一鰭型圖案的頂表面，第一溝槽的所述側(cè)壁和第二溝槽的所述側(cè)壁在該處連接的位置定位得低于場(chǎng)絕緣膜的頂表面。