[發(fā)明專利]半導體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810288244.2
• 申請日: 2018-04-03
• 公開（公告）號: CN108695391A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 姜明昊;金慶燮;金貞林;李載明;吳興錫;林蓮花;全眾源
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

第一鰭型圖案，包括第一長側和第一短側，其中所述第一長側在第一方向上延伸，其中所述第一短側在與所述第一方向不同的第二方向上延伸；

第二鰭型圖案，平行于所述第一鰭型圖案布置，包括第二長側，其中所述第二長側在所述第一方向上延伸并與所述第一鰭型圖案的所述第一長側相對；以及

第一柵電極，交叉所述第一鰭型圖案和所述第二鰭型圖案；

其中所述第二鰭型圖案包括在所述第一方向上突出超過所述第一鰭型圖案的所述第一短側的突出部分，

其中所述第一柵電極與包括所述第一鰭型圖案的所述第一短側的所述第一鰭型圖案的端部分重疊，

其中限定所述第一鰭型圖案的所述第一短側的所述第一鰭型圖案的第一側壁的至少部分由具有第一深度的第一溝槽限定，并且

其中所述第一溝槽直接鄰接具有大于所述第一深度的第二深度的第二溝槽。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述第一鰭型圖案的所述第一長側和所述第二鰭型圖案的所述第二長側由具有第三深度的第三溝槽限定，并且

所述第三深度大于所述第一深度或與所述第一深度相同并且小于所述第二深度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一溝槽的側壁直接連接到所述第二溝槽的側壁。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

連接部分，連接所述第一溝槽的側壁和所述第二溝槽的側壁。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

場絕緣膜，部分地填充所述第一溝槽和所述第二溝槽，

其中從所述第一鰭型圖案的頂表面到所述場絕緣膜的頂表面的距離小于所述第二溝槽的所述第二深度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第三鰭型圖案，包括第三長側和第二短側，其中所述第三長側與所述第一長側相對，其中所述第二短側在所述第二方向上延伸，

其中所述第一鰭型圖案位于所述第二鰭型圖案和所述第三鰭型圖案之間，

其中所述第二鰭型圖案包括在所述第一方向上突出超過所述第三鰭型圖案的所述第二短側的第二突出部分，并且

其中所述第一柵電極與包括所述第三鰭型圖案的所述第二短側的所述第三鰭型圖案的端部分重疊。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中限定所述第三鰭型圖案的所述第二短側的所述第三鰭型圖案的側壁由所述第二溝槽限定。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中限定所述第三鰭型圖案的所述第二短側的所述第三鰭型圖案的側壁的至少部分由所述第一溝槽限定。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述第一鰭型圖案包括與所述第一短側相反的第二短側，

限定所述第一鰭型圖案的所述第二短側的所述第一鰭型圖案的第二側壁的至少部分由具有第三深度的第三溝槽限定，

所述第三深度與所述第一深度相同，并且

所述第三溝槽直接鄰接所述第二溝槽。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括：

第一連接部分，連接所述第一溝槽的側壁和所述第二溝槽的側壁；以及

第二連接部分，連接所述第三溝槽的側壁和所述第二溝槽的所述側壁，

其中所述第一連接部分在所述第一方向上的寬度小于所述第二連接部分在所述第一方向上的寬度。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述第一鰭型圖案包括第二短側，其中所述第二短側與所述第一短側相反，并且

限定所述第一鰭型圖案的所述第二短側的所述第一鰭型圖案的第二側壁由所述第二溝槽限定。