[發(fā)明專利]一種共晶機(jī)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810287802.3 | 申請日: | 2018-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN108257897A | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鐘銳;徐歡;卡塔琳娜·費(fèi)舍爾 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江辛帝亞自動化科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/60 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100 | 代理人: | 王麗丹 |
| 地址: | 314400 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 共晶 吸嘴 上下料系統(tǒng) 管座 精密 頂針 托盤 頂針系統(tǒng) 控制系統(tǒng) 芯片拾取 固定環(huán) 滑臺 熱沉 雙晶 圓臺 芯片 多軸運(yùn)動控制 整機(jī)控制系統(tǒng) 機(jī)臺 攝像頭 產(chǎn)品良率 調(diào)節(jié)系統(tǒng) 夾爪氣缸 視覺定位 輸送裝置 校準(zhǔn)系統(tǒng) 芯片托盤 運(yùn)動組件 組件包括 頂針帽 加熱棒 滑軌 夾爪 模組 氣缸 電機(jī) 自動化 生產(chǎn)能力 配合 | ||
本發(fā)明公開了一種共晶機(jī),包括機(jī)臺和整機(jī)控制系統(tǒng),機(jī)臺上設(shè)有上下料系統(tǒng)、共晶臺、雙晶圓臺、芯片拾取控制系統(tǒng)和芯片校準(zhǔn)系統(tǒng),上下料系統(tǒng)包括管座托盤、吸嘴、氣缸、滑軌、線性精密XY滑臺和控制線性精密XY滑臺的電機(jī);共晶臺包括將管座從上下料系統(tǒng)輸送至共晶臺的輸送裝置、手指吸嘴、共晶座、管座夾爪、夾爪氣缸和加熱棒,雙晶圓臺包括熱沉托盤固定環(huán)、芯片托盤固定環(huán)、頂針系統(tǒng)組件和線性精密XY模組,所述頂針系統(tǒng)組件包括頂針、頂針帽和頂針調(diào)節(jié)系統(tǒng);芯片拾取控制系統(tǒng)包括熱沉吸嘴、芯片吸嘴、運(yùn)動組件和攝像頭。本發(fā)明配合多軸運(yùn)動控制、視覺定位等技術(shù),自動化程度高,產(chǎn)品良率高,且具有快速批量生產(chǎn)能力。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及共晶領(lǐng)域,具體涉及一種共晶機(jī)。
背景技術(shù)
目前,光電通訊領(lǐng)域的TO(晶體管外形)型激光器件的全自動共晶貼片設(shè)備,均生產(chǎn)效率低,自動化程度不高,產(chǎn)品良率低。特別是管座共晶,其芯片所貼位置偏差大,熱沉熔化不充分,共晶操作煩瑣,需要大量人工勞動力,且生產(chǎn)效率低,不能快速批量生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種共晶機(jī),配合多軸運(yùn)動控制、視覺定位等技術(shù),自動化程度高,產(chǎn)品良率高,且具有快速批量生產(chǎn)能力。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種共晶機(jī),包括機(jī)臺和整機(jī)控制系統(tǒng),所述機(jī)臺上設(shè)有上下料系統(tǒng)、共晶臺、雙晶圓臺、芯片拾取控制系統(tǒng)和芯片校準(zhǔn)系統(tǒng),所述上下料系統(tǒng)包括管座托盤、吸嘴、氣缸、滑軌、線性精密XY滑臺和控制線性精密XY滑臺的電機(jī),所述吸嘴通過氣缸和滑軌實現(xiàn)上下運(yùn)動,所述吸嘴上方設(shè)有光電感應(yīng)件和光電開關(guān);所述共晶臺包括將管座從上下料系統(tǒng)輸送至共晶臺的輸送裝置、手指吸嘴、共晶座、管座夾爪、夾爪氣缸和加熱棒,所述加熱棒處設(shè)有熱敏傳感器;所述雙晶圓臺包括熱沉托盤固定環(huán)、芯片托盤固定環(huán)、頂針系統(tǒng)組件和線性精密XY模組,所述頂針系統(tǒng)組件包括頂針、頂針帽和頂針調(diào)節(jié)系統(tǒng),所述頂針帽下設(shè)有抽真空管;所述芯片拾取控制系統(tǒng)包括熱沉吸嘴、芯片吸嘴、運(yùn)動組件和攝像頭;所述芯片校準(zhǔn)系統(tǒng)包括芯片校準(zhǔn)臺、下攝像頭和芯片校準(zhǔn)控制系統(tǒng),所述芯片校準(zhǔn)臺上設(shè)有可吸住芯片的小孔,所述小孔與真空吸管連通。
作為進(jìn)一步的改進(jìn),所述共晶座前側(cè)設(shè)有壓縮彈簧,后側(cè)設(shè)有氮氣小孔和空氣小孔。
作為一種優(yōu)選,所述輸送裝置包括氣動滑臺、水平氣缸、轉(zhuǎn)軸、連桿和調(diào)節(jié)螺絲。
作為一種優(yōu)選,所述加熱棒加熱溫度為380~450℃。
作為進(jìn)一步的改進(jìn),所述頂針調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括導(dǎo)向臺和惰輪,實現(xiàn)頂針帽向上或向下。
作為一種優(yōu)選,所述熱沉吸嘴和芯片吸嘴運(yùn)動重復(fù)精度為:XY 小于正負(fù) 4 微米,θ小于 0.1 度。
作為進(jìn)一步的改進(jìn),所述芯片校準(zhǔn)控制系統(tǒng)包括線性XY滑臺及控制線性XY滑臺的伺服電機(jī),所述線性XY滑臺上設(shè)有支撐臂用于支撐和調(diào)節(jié)芯片校準(zhǔn)臺。
本發(fā)明的有益效果是:配合多軸運(yùn)動控制、視覺定位等技術(shù),自動化程度高,產(chǎn)品良率高,且具有批量生產(chǎn)能力。共晶座后側(cè)設(shè)有氮氣小孔通入氮氣,防止加熱共晶時焊料氧化,大大提高產(chǎn)品良率。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明實施例上下料系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明實施例共晶臺的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為本發(fā)明實施例雙晶圓臺的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5為本發(fā)明實施例頂針調(diào)節(jié)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為本發(fā)明實施例芯片拾取控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖一。
圖7為本發(fā)明實施例芯片拾取控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖二。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





