[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810287243.6
• 申請(qǐng)日: 2018-03-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108511463A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝銳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;陽(yáng)志全

1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底(10)、依次設(shè)于所述襯底(10)上方的緩沖層(20)、半導(dǎo)體層(30)、覆蓋在所述半導(dǎo)體層(30)上表面的柵極絕緣層(40)以及設(shè)于所述柵極絕緣層(40)上方的柵電極層(50)，位于所述半導(dǎo)體層(30)的兩相對(duì)側(cè)的斜面(T)與所述緩沖層(20)的所成角度均為銳角，且所述斜面(T)的粗糙度大于所述半導(dǎo)體層(30)的頂面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層(30)包括第一部分和分別位于所述第一部分兩側(cè)的第二部分、第三部分，所述第二部分、所述第三部分的外表面為所述斜面(T)，所述第二部分、所述第三部分的表面粗糙度大于所述第一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述緩沖層(20)為氮化硅層、氧化硅層或二者的組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述襯底(10)與所述半導(dǎo)體層(30)之間且遮擋所述半導(dǎo)體層(30)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層形成于所述襯底(10)表面，所述緩沖層(20)完全覆蓋所述遮光層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述斜面(T)為經(jīng)F離子轟擊處理后形成凹凸不平的表面。

7.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底(10)；

在所述襯底(10)上依次制作緩沖層(20)、半導(dǎo)體層(30)；

對(duì)所述半導(dǎo)體層(30)的兩相對(duì)側(cè)的斜面(T)處理，提高其粗糙度；

在所述半導(dǎo)體層(30)表面制作柵極絕緣層(40)，使柵極絕緣層(40)同時(shí)覆蓋所述半導(dǎo)體層(30)的頂面和側(cè)面；

在所述柵極絕緣層(40)表面制作柵電極層(50)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述緩沖層(20)為氮化硅層、氧化硅層或二者的組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述對(duì)所述半導(dǎo)體層(30)的兩相對(duì)側(cè)的斜面(T)處理的方法為：利用F離子轟擊所述斜面(T)，使F離子與所述半導(dǎo)體層(30)中的SiO₂反應(yīng)產(chǎn)生SiF₄。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括：在利用F離子轟擊所述斜面(T)前，在所述半導(dǎo)體層(30)上表面除所述斜面(T)外的區(qū)域涂布一層光阻層(R)，并在利用F離子轟擊所述斜面(T)后，去除所述光阻層(R)。