[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810283968.8
• 申請日: 2018-04-02
• 公開（公告）號: CN110350019A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張廣勝;張志麗
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 汪洋;高偉

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有第一埋層區(qū)和第二埋層區(qū)；在所述半導(dǎo)體襯底上形成有外延層；在所述外延層中分別形成有阱區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)，所述阱區(qū)和源極區(qū)均位于所述第一埋層區(qū)上方，所述漏極區(qū)區(qū)位于所述第二埋層區(qū)上方；其中，所述第二埋層區(qū)從靠近所述源極區(qū)的一端到靠近所述漏極區(qū)的一端的方向上，摻雜深度逐漸加深。根據(jù)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件，通過使半導(dǎo)體襯底內(nèi)的埋層區(qū)從靠近源極區(qū)的一端到靠近漏極區(qū)的一端的方向上，摻雜深度逐漸加深，漂移區(qū)結(jié)深逐漸加大，從而得到優(yōu)化擊穿電壓和導(dǎo)通電阻關(guān)系的半導(dǎo)體器件，并且更夠更好地優(yōu)化半導(dǎo)體器件的表面電場。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

在常規(guī)的高壓器件中，基本運(yùn)用結(jié)深較深的阱或者低濃度的外延層來形成耐壓層，其主要缺點(diǎn)在于：1、運(yùn)用結(jié)深較深的阱來做為耐壓區(qū)時(shí)，其雜質(zhì)濃度最高的區(qū)域位于器件的表面，導(dǎo)致最大的電場位于器件表面，當(dāng)表面注入相反雜質(zhì)類型時(shí)，其最高雜質(zhì)濃度區(qū)域被中和，這樣影響器件的導(dǎo)通電阻；2、當(dāng)使用外延層來作為耐壓層時(shí)，其濃度分布為均勻的雜質(zhì)分布，從而器件的導(dǎo)通電阻沒有到達(dá)最優(yōu)。

因此，有必要提出一種新的高壓器件，以優(yōu)化擊穿電壓和導(dǎo)通電阻的關(guān)系，并且優(yōu)化高壓器件的表面電場。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有第一埋層區(qū)和第二埋層區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成有外延層；

在所述外延層中分別形成有阱區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)，所述阱區(qū)和源極區(qū)均位于所述第一埋層區(qū)上方，所述漏極區(qū)位于所述第二埋層區(qū)上方；

其中，所述第二埋層區(qū)從靠近所述源極區(qū)的一端到靠近所述漏極區(qū)的一端的方向上，摻雜深度逐漸加深。

進(jìn)一步，所述第二埋層區(qū)從靠近所述源極區(qū)的一端到靠近所述漏極區(qū)的一端的方向上，摻雜濃度逐漸增大。

進(jìn)一步，在所述外延層中還形成有摻雜區(qū)和外延區(qū)，所述漏極區(qū)位于所述摻雜區(qū)內(nèi)，其中所述漏極區(qū)的摻雜濃度大于所述摻雜區(qū)的摻雜濃度，所述摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述外延區(qū)的摻雜濃度。

進(jìn)一步，所述外延區(qū)與所述第二埋層區(qū)組成漂移區(qū)。

進(jìn)一步，所述源極區(qū)位于所述阱區(qū)內(nèi)形成常關(guān)型器件，或者所述源極區(qū)位于所述外延區(qū)內(nèi)形成常開型器件。

進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體器件還包括：

體區(qū)，所述體區(qū)形成于所述阱區(qū)內(nèi)，并與所述源極區(qū)相鄰接；

柵極結(jié)構(gòu)，位于所述外延層上；

場板結(jié)構(gòu)，跨接在所述柵極結(jié)構(gòu)、所述外延區(qū)和所述阱區(qū)上；

互連結(jié)構(gòu)，用于引出源極、漏極和柵極。

進(jìn)一步，所述半導(dǎo)體襯底、所述第一埋層區(qū)、所述阱區(qū)和所述體區(qū)具有第一導(dǎo)電類型，所述第二埋層區(qū)、所述外延區(qū)、所述摻雜區(qū)、所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)具有第二導(dǎo)電類型。

進(jìn)一步，位于所述半導(dǎo)體襯底中的所述第一埋層區(qū)和所述第二埋層區(qū)彼此間隔設(shè)置。

進(jìn)一步，所述第二埋層區(qū)包括多個(gè)子區(qū)，在從靠近所述源極區(qū)的一端到靠近所述漏極區(qū)的一端的方向上，所述多個(gè)子區(qū)的摻雜深度逐漸加深。

進(jìn)一步，在從靠近所述源極區(qū)的一端到靠近所述漏極區(qū)的一端的方向上，所述多個(gè)子區(qū)的摻雜濃度逐漸增大。