[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810283968.8
• 申請(qǐng)日: 2018-04-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110350019A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張廣勝;張志麗
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 汪洋;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有第一埋層區(qū)和第二埋層區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成有外延層；

在所述外延層中分別形成有阱區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)，所述阱區(qū)和源極區(qū)均位于所述第一埋層區(qū)上方，所述漏極區(qū)位于所述第二埋層區(qū)上方；

其中，所述第二埋層區(qū)從靠近所述源極區(qū)的一端到靠近所述漏極區(qū)的一端的方向上，摻雜深度逐漸加深。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二埋層區(qū)從靠近所述源極區(qū)的一端到靠近所述漏極區(qū)的一端的方向上，摻雜濃度逐漸增大。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述外延層中還形成有摻雜區(qū)和外延區(qū)，所述漏極區(qū)位于所述摻雜區(qū)內(nèi)，其中所述漏極區(qū)的摻雜濃度大于所述摻雜區(qū)的摻雜濃度，所述摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述外延區(qū)的摻雜濃度。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述外延區(qū)與所述第二埋層區(qū)組成漂移區(qū)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述源極區(qū)位于所述阱區(qū)內(nèi)形成常關(guān)型器件，或者所述源極區(qū)位于所述外延區(qū)內(nèi)形成常開(kāi)型器件。

6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：

體區(qū)，所述體區(qū)形成于所述阱區(qū)內(nèi)，并與所述源極區(qū)相鄰接；

柵極結(jié)構(gòu)，位于所述外延層上；

場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，跨接在所述柵極結(jié)構(gòu)、所述外延區(qū)和所述阱區(qū)上；

互連結(jié)構(gòu)，用于引出源極、漏極和柵極。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底、所述第一埋層區(qū)、所述阱區(qū)和所述體區(qū)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型，所述第二埋層區(qū)、所述外延區(qū)、所述摻雜區(qū)、所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)具有第二導(dǎo)電類(lèi)型。

8.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，位于所述半導(dǎo)體襯底中的所述第一埋層區(qū)和所述第二埋層區(qū)彼此間隔設(shè)置。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二埋層區(qū)包括多個(gè)子區(qū)，在從靠近所述源極區(qū)的一端到靠近所述漏極區(qū)的一端的方向上，所述多個(gè)子區(qū)的摻雜深度逐漸加深。

10.權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在從靠近所述源極區(qū)的一端到靠近所述漏極區(qū)的一端的方向上，所述多個(gè)子區(qū)的摻雜濃度逐漸增大。