[發明專利]一種SiC Mosfet電性能的測試裝置

在審

• 申請號: 201810283089.5
• 申請日: 2018-04-02
• 公開（公告）號: CN108562813A
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 陳顯平;李現兵;張朋;葉懷宇;錢靖;張國旗;周強
• 申請（專利權）人: 重慶大學;全球能源互聯網研究院有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01R19/00
• 代理公司: 重慶大學專利中心 50201
• 代理人: 唐開平

本發明公開了一種SiC Mosfet電性能的測試裝置，它包括機械壓力設備、溫控箱、電壓檢測器、電流檢測器和控制器，所述控制器包括存儲器、處理器以及存儲在存儲器上可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述程序時實現以下步驟：步驟1、執行機械壓力條件下的測試，確認是否退出測試；步驟2、執行溫度條件下的測試；確認是否退出測試；步驟3、執行機械壓力和溫度兩個條件下的電壓和電流測試，確認是否退出測試；重復上述各步驟，手動控制程序結束。本發明的技術效果是：能測試SiC Mosfet器件在機械壓力和溫度條件下的電壓和電流，構建SiC Mosfet器件上電壓、電流與機械壓力和溫度的變化關系。

技術領域

本發明屬于元器件的測試技術領域，具體涉及一種SiC Mosfet電性能的測試裝置。

背景技術

SiC Mosfet是一種基礎的電子元器件，測試它的電性能是一項基礎工作。現有的SiC Mosfet電壓、電流測試都是在正常壓力和溫度下進行測量，還沒有檢測該器件在機械壓力和溫度條件下的電壓、電流與機械壓力、溫度的變化關系。

發明內容

針對現有SiC Mosfet測試技術存在的不足，本發明所要解決的技術問題就是提供一種SiC Mosfet電性能的測試裝置，它能測試SiC Mosfet器件在機械壓力和溫度條件下的電壓和電流，構建SiC Mosfet器件上電壓、電流與機械壓力和溫度的變化關系。

本發明所要解決的技術問題是通過這樣的技術方案實現的，它包括機械壓力設備、溫控箱、電壓檢測器、電流檢測器和控制器，控制器輸出端口分別由對應的控制線連接機械壓力設備和溫控箱，機械壓力設備上的壓力傳感器和溫控箱內的溫度傳感器、電壓檢測器、電流檢測器分別通過數據線連接控制器，所述控制器包括存儲器、處理器以及存儲在存儲器上可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述程序時實現以下步驟：

步驟1、判定是否在機械壓力條件下測試電壓和電流，若是，執行機械壓力條件下的測試，然后確認是否退出測試；

步驟2、判定是否在溫度條件下測試電壓和電流，若是，執行溫度條件下的測試；然后確認是否退出測試；

步驟3、執行機械壓力和溫度兩個條件下的電壓和電流測試，然后確認是否退出測試；

重復上述各步驟，手動控制程序結束。

上述步驟1中，執行機械壓力條件下的測試步驟包括：

（1）、輸出壓力、壓強參數，控制機械壓力設備加壓；

（2）讀取壓力傳感器的壓力、壓強值；

（3）讀取電壓傳感器的電壓值和電流傳感器的電流值；

（4）計算被測SiC Mosfet器件上電壓和電流隨壓力或壓強的變化關系。

上述步驟2中，執行溫度條件下的測試步驟包括：

（1）、輸出溫度參數，控制溫控箱內的溫度；

（2）讀取溫度傳感器的溫度值；

（3）讀取電壓傳感器的電壓值和電流傳感器的電流值；

（4）計算被測SiC Mosfet器件上電壓和電流隨溫度的變化關系。

上述步驟3中，執行機械壓力和溫度兩個條件下的測試步驟包括：

（1）、輸出壓力、壓強參數，控制機械壓力設備加壓；輸出溫度參數，控制溫控箱內的溫度；

（2）讀取壓力傳感器的壓力、壓強值并讀取溫度傳感器的溫度值；

（3）讀取電壓傳感器的電壓值和電流傳感器的電流值；