[發(fā)明專利]一種SiC Mosfet電性能的測試裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810283089.5 | 申請日： | 2018-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN108562813A | 公開（公告）日： | 2018-09-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳顯平;李現(xiàn)兵;張朋;葉懷宇;錢靖;張國旗;周強 | 申請（專利權(quán)）人： | 重慶大學;全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/00 | 分類號： | G01R31/00;G01R19/00 |
| 代理公司： | 重慶大學專利中心 50201 | 代理人： | 唐開平 |
| 地址： | 400044 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 機械壓力 退出測試 存儲器 測試裝置 溫度條件 控制器 電性能 測試 處理器 處理器執(zhí)行 電流檢測器 電壓檢測器 計算機程序 變化關(guān)系 程序結(jié)束 電流測試 技術(shù)效果 手動控制 溫控箱 構(gòu)建 存儲 重復 | ||
1.一種SiC Mosfet電性能的測試裝置，其特征是：包括機械壓力設備、溫控箱、電壓檢測器、電流檢測器和控制器，控制器輸出端口分別由對應的控制線連接機械壓力設備和溫控箱，機械壓力設備上的壓力傳感器和溫控箱內(nèi)的溫度傳感器、電壓檢測器、電流檢測器分別通過數(shù)據(jù)線連接控制器，所述控制器包括存儲器、處理器以及存儲在存儲器上可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執(zhí)行所述程序時實現(xiàn)以下步驟：
步驟1、判定是否在機械壓力條件下測試電壓和電流，若是，執(zhí)行機械壓力條件下的測試，然后確認是否退出測試；
步驟2、判定是否在溫度條件下測試電壓和電流，若是，執(zhí)行溫度條件下的測試；然后確認是否退出測試；
步驟3、執(zhí)行機械壓力和溫度兩個條件下的電壓和電流測試，然后確認是否退出測試；
重復上述各步驟，手動控制程序結(jié)束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC Mosfet電性能的測試裝置，其特征是：所述步驟1中，執(zhí)行機械壓力條件下的測試步驟包括：
（1）、輸出壓力、壓強參數(shù)，控制機械壓力設備加壓；
（2）讀取壓力傳感器的壓力、壓強值；
（3）讀取電壓傳感器的電壓值和電流傳感器的電流值；
（4）計算被測SiC Mosfet器件上電壓和電流隨壓力或壓強的變化關(guān)系。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC Mosfet電性能的測試裝置，其特征是：所述步驟2中，執(zhí)行溫度條件下的測試步驟包括：
（1）、輸出溫度參數(shù)，控制溫控箱內(nèi)的溫度；
（2）讀取溫度傳感器的溫度值；
（3）讀取電壓傳感器的電壓值和電流傳感器的電流值；
（4）計算被測SiC Mosfet器件上電壓和電流隨溫度的變化關(guān)系。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC Mosfet電性能的測試裝置，其特征是：所述步驟3中，執(zhí)行機械壓力和溫度兩個條件下的測試步驟包括：
（1）、輸出壓力、壓強參數(shù)，控制機械壓力設備加壓；輸出溫度參數(shù)，控制溫控箱內(nèi)的溫度；
（2）讀取壓力傳感器的壓力、壓強值并讀取溫度傳感器的溫度值；
（3）讀取電壓傳感器的電壓值和電流傳感器的電流值；
（4）計算被測SiC Mosfet器件上電壓和電流隨壓力或壓強和溫度的變化關(guān)系。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于重慶大學;全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司，未經(jīng)重慶大學;全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810283089.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
