[發明專利]一種材料吸氣放氣率測試裝置

有效

• 申請號: 201810283087.6
• 申請日: 2018-04-02
• 公開（公告）號: CN108387691B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 金炯;楊林;姜瓊
• 申請（專利權）人: 杭州賽威斯真空技術有限公司
• 主分類號: G01N33/00
• 分類號: G01N33/00
• 代理公司: 杭州天欣專利事務所(普通合伙) 33209
• 代理人: 陳紅

本申請公開了.一種材料吸氣放氣率測試裝置，包括設置在工作面上的吸氣測試系統和放氣測試系統、進出樣室和進出樣分子泵，進出樣室連接進出樣分子泵，其特征在于：吸氣測試系統和放氣測試系統交叉設置，交叉點為進出樣室，吸氣性能測試系統包括吸氣送樣桿、吸氣性能測試室、第一流導管選擇閥和進氣管微漏閥，進出樣室一端連接吸氣送樣桿，進出樣室的另一端連接吸氣性能測試室，放氣測試系統包括放氣送樣桿、放氣性能測試室和第二流導管選擇閥，進出樣室的一端連接放氣送樣桿，進出樣室的另一端連接放氣性能測試室，本申請具有以下特點:精確度高，測量方便，集成度高。

技術領域

本申請涉及一種測試裝置,尤其是一種能測試材料的殘余氣壓和吸氣性能的測試裝置。

背景技術

微機電系統(MEMS)，也叫做微電子機械系統、微系統、微機械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，微機電系統是集微傳感器、微執行器、微機械結構、微電源微能源、信號處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微型器件或系統。

因此MEMS芯片性能有一定的要求，MEMS芯片是一種抽真空的元件，在使用的過程中，密封材料會有放氣和滲氣的現象，會導致內部的氣壓上漲，而導致芯片的性能下降，MEMS芯片作為消費級的元件，需要保證芯片的性能在3至5年，所以需要測試3至5年內芯片的真空度，而MEMS的內部無壓力傳感器，無法測量。

發明內容

本申請解決的技術問題是克服現有技術中存在的不足，而提供一種精確度高，測量方便的材料吸氣放氣率測試裝置。

本申請解決上述技術問題所采用的技術方案包括：一種材料吸氣放氣率測試裝置，包括設置在工作面上的吸氣測試系統和放氣測試系統、進出樣室和進出樣分子泵，所述的進出樣室連接所述的進出樣分子泵，其特征在于：所述的吸氣測試系統和放氣測試系統交叉設置，交叉點為進出樣室，所述的吸氣測試系統包括吸氣送樣桿、吸氣性能測試室、第一流導管選擇閥和進氣管微漏閥，所述的進出樣室一端連接吸氣送樣桿，所述的進出樣室的另一端連接吸氣性能測試室，所述的放氣測試系統包括放氣送樣桿、放氣性能測試室和第二流導管選擇閥，進出樣室的一端連接放氣送樣桿，進出樣室的另一端連接放氣性能測試室，還設置有第一管道、第二管道和第三管道，所述的第一管道和第二管道分別連接吸氣性能測試室，所述的第三管道連接放氣性能測試室，在第一管道和第三管道之間設置有第二流導管選擇閥，在第二管道和第一管道之間設置有第一流導管選擇閥，在第一管道上設置有兩個進氣管微漏閥，其優點和效果是：將吸氣測試系統和放氣測試系統集合在一起，節約成本。

優選的，所述的吸氣性能測試室內設置有石墨加熱片、熱電偶、第一熱陰極電離規和磁懸浮轉子規，石墨加熱片，由熱電偶隨時測量吸氣性能測試室內的溫度，所述的第一熱陰極電離規用于測試實驗中的實時真空度，所述的磁懸浮轉子規用于校準第一熱陰極電離規，其優點和效果是：準確地測試材料的吸氣性能。

優選的，所述的放氣性能測試室內設置有第二熱陰極電離規、薄膜真空規和芯片破壞裝置，所述的第二熱陰極電離規測試破壞前所述的放氣性能測試室的真空度，所述的薄膜真空規測試破壞后的所述的放氣性能測試室的真空度，其優點和效果是：準確地測量殘余氣體的氣壓。

優選的，還設置有殘余氣體分析儀，所述的殘余氣體分析儀連接放氣性能測試室，其優點和效果是：可以分辨殘余氣體的成分。

優選的，在所述的進出樣室和吸氣送樣桿之間設置有第三閥門，在所述的進出樣室和放氣送樣桿之間設置有第四閥門，其優點和效果是：使吸氣送樣桿和放氣送樣桿處于真空環境，提高測量的準確度。

優選的，所述的第一流導管選擇閥設置有六個，第二流導管選擇閥設置有三個，其優點和效果是：可供不同材料選擇，以提高測試精確度。

優選的，在所述的吸氣性能測試室和所述的第一管道之間設置有吸氣隔斷插板閥，在所述的放氣性能測試室和所述的第一管道之間設置有放氣隔斷插板閥，其優點和效果是：使放氣性能測試室和吸氣性能測試室處于真空環境，提高測量的準確度。