[發明專利]配置獨立冗余磁盤陣列RAID條帶的方法、裝置、設備及介質

有效

• 申請號: 201810279139.2
• 申請日: 2018-03-31
• 公開（公告）號: CN108491169B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 周光華;孫成昆;滕鵬
• 申請（專利權）人: 深圳憶聯信息系統有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F12/1009
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 劉貽盛

1.一種配置獨立冗余磁盤陣列RAID條帶的方法，其特征在于，所述方法包括：

確定存儲芯片的錯誤模型；

根據所述存儲芯片的錯誤模型，為所述存儲芯片的不同區域配置不同數量的RAID條帶；

根據所述存儲芯片的錯誤模型，在所述存儲芯片的不同區域配置不同數量的RAID條帶，包括：

為所述存儲芯片包括的3D TLC存儲區塊或者3D SLC存儲區塊配置24*n個RAID條帶，n為大于等于1的整數；

根據所述存儲芯片的錯誤模型，在所述存儲芯片的不同區域配置不同數量的RAID條帶，包括：

為所述存儲芯片中用于存儲預設數據的存儲區塊中每一橫排存儲頁配置一個RAID條帶，所述預設數據至少包括：元數據或映射表；

其中，針對3D-TLC NAND的特性和出錯模型，設計針對性的RAID方案，首先，對3D-TLCNAND的特性分析如下：

3D-TLC一個block一般有48/64/96/128個layer，每個layer包含4個wordline，每個wordline由三個page組成，每個layer包含3*4＝12個page，接著，對3D-TLC NAND的錯誤模型分析如下：

3D-TLC NAND的常見錯誤模型有2種，一種是layer內部發生shortcut，導致一個layer里的所有page讀失敗，一個layer里有3*4＝12個page；另一種是兩個相鄰layer之間發生shortcut，導致2個layer里的所有page讀失敗，兩個layer里一共有2*3*4＝24個page，針對一個raid block，提出采用24或48個raid stripe，不同區域采用不同的RAID方案。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

針對所述存儲芯片包括的3D TLC存儲區塊，將各個信道的TLC區塊組建成一個RAID區塊；

針對所述存儲芯片包括的3D SLC存儲區塊，將各個信道的三個SLC區塊組建成一個RAID區塊；

針對所述存儲芯片中用于存儲預設數據的存儲區塊，將各個信道的SLC區塊或TLC區塊組建成一個RAID區塊，所述預設數據至少包括：元數據或映射表。

3.一種配置獨立冗余磁盤陣列RAID條帶的裝置，其特征在于，所述裝置包括：

確定模塊，用于確定存儲芯片的錯誤模型；

配置模塊，用于根據所述存儲芯片的錯誤模型，為所述存儲芯片的不同區域配置不同數量的RAID條帶；

所述配置模塊包括：

第一配置子模塊，用于為所述存儲芯片包括的3D TLC存儲區塊或者3D SLC存儲區塊配置24*n個RAID條帶，n為大于等于1的整數；

所述配置模塊包括：

第二配置子模塊，用于為所述存儲芯片中用于存儲預設數據的存儲區塊中每一橫排存儲頁配置一個RAID條帶，所述預設數據至少包括：元數據或映射表；

其中，針對3D-TLC NAND的特性和出錯模型，設計針對性的RAID方案，首先，對3D-TLCNAND的特性分析如下：

3D-TLC一個block一般有48/64/96/128個layer，每個layer包含4個wordline，每個wordline由三個page組成，每個layer包含3*4＝12個page，接著，對3D-TLC NAND的錯誤模型分析如下：

3D-TLC NAND的常見錯誤模型有2種，一種是layer內部發生shortcut，導致一個layer里的所有page讀失敗，一個layer里有3*4＝12個page；另一種是兩個相鄰layer之間發生shortcut，導致2個layer里的所有page讀失敗，兩個layer里一共有2*3*4＝24個page，針對一個raid block，提出采用24或48個raid stripe，不同區域采用不同的RAID方案。