[發(fā)明專利]配置獨(dú)立冗余磁盤陣列RAID條帶的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810279139.2
• 申請(qǐng)日: 2018-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN108491169B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周光華;孫成昆;滕鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳憶聯(lián)信息系統(tǒng)有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/06
• 分類號(hào): G06F3/06;G06F12/1009
• 代理公司: 深圳市精英專利事務(wù)所 44242
• 代理人: 劉貽盛

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種配置獨(dú)立冗余磁盤陣列RAID條帶方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。該方法包括：確定存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤模型；根據(jù)所述存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤模型，為所述存儲(chǔ)芯片的不同區(qū)域配置不同數(shù)量的RAID條帶。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種配置獨(dú)立冗余磁盤陣列RAID條帶的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)

由于NAND特性，無論是2D NAND還是3D NAND，都存在RBER(初始比特出錯(cuò)率)的問題，并且隨著PE(擦寫)次數(shù)增加，RBER將逐漸變大，通常采用RAID來糾錯(cuò)。RAID是NAND控制器上用來做異或運(yùn)算的硬件資源，是關(guān)系到NAND讀寫性能的關(guān)鍵因素。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種配置獨(dú)立冗余磁盤陣列RAID條帶的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，以保證NAND的讀寫性能。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種配置獨(dú)立冗余磁盤陣列RAID條帶的方法，其特征在于，所述方法包括：

確定存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤模型；

根據(jù)所述存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤模型，為所述存儲(chǔ)芯片的不同區(qū)域配置不同數(shù)量的RAID條帶。

可選地，根據(jù)所述存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤模型，在所述存儲(chǔ)芯片的不同區(qū)域配置不同數(shù)量的RAID條帶，包括：

為所述存儲(chǔ)芯片包括的3D TLC存儲(chǔ)區(qū)塊或者3D SLC存儲(chǔ)區(qū)塊配置24*n個(gè)RAID條帶，n為大于等于1的整數(shù)。

可選地，根據(jù)所述存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤模型，在所述存儲(chǔ)芯片的不同區(qū)域配置不同數(shù)量的RAID條帶，包括：

為所述存儲(chǔ)芯片中用于存儲(chǔ)預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)區(qū)塊中每一橫排存儲(chǔ)頁配置一個(gè)RAID條帶，所述預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)至少包括：元數(shù)據(jù)或映射表。

可選地，所述方法還包括：

針對(duì)所述存儲(chǔ)芯片包括的3D TLC存儲(chǔ)區(qū)塊，將各個(gè)信道的TLC區(qū)塊組建成一個(gè)RAID區(qū)塊；

針對(duì)所述存儲(chǔ)芯片包括的3D SLC存儲(chǔ)區(qū)塊，將各個(gè)信道的三個(gè)SLC區(qū)塊組建成一個(gè)RAID區(qū)塊；

針對(duì)所述存儲(chǔ)芯片中用于存儲(chǔ)預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)區(qū)塊，將各個(gè)信道的SLC區(qū)塊或TLC區(qū)塊組建成一個(gè)RAID區(qū)塊，所述預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)至少包括：元數(shù)據(jù)或映射表。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種配置獨(dú)立冗余磁盤陣列RAID條帶的裝置，所述裝置包括：

確定模塊，用于確定存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤模型；

配置模塊，用于根據(jù)所述存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤模型，為所述存儲(chǔ)芯片的不同區(qū)域配置不同數(shù)量的RAID條帶。

可選地，所述配置模塊包括：

第一配置子模塊，用于為所述存儲(chǔ)芯片包括的3D TLC存儲(chǔ)區(qū)塊或者3D SLC存儲(chǔ)區(qū)塊配置24*n個(gè)RAID條帶，n為大于等于1的整數(shù)。

可選地，所述配置模塊包括：

第二配置子模塊，用于為所述存儲(chǔ)芯片中用于存儲(chǔ)預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)區(qū)塊中每一橫排存儲(chǔ)頁配置一個(gè)RAID條帶，所述預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)至少包括：元數(shù)據(jù)或映射表。

可選地，所述裝置還包括：

第一組建模塊，用于針對(duì)所述存儲(chǔ)芯片包括的3D TLC存儲(chǔ)區(qū)塊，將各個(gè)信道的TLC區(qū)塊一起組成一個(gè)RAID區(qū)塊；

第二組建模塊，用于針對(duì)所述存儲(chǔ)芯片包括的3D SLC存儲(chǔ)區(qū)塊，將各個(gè)信道的三個(gè)SLC區(qū)塊一起組成一個(gè)RAID區(qū)塊；