[發明專利]溫度控制裝置

有效

• 申請號: 201810277221.1
• 申請日: 2018-03-30
• 公開（公告）號: CN110323150B
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 王邵玉;陶洪建
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本發明提供了一種溫度控制裝置，包括：基座、位于所述基座內的水路和氣路；所述基座的一承載面上具有多個孔洞，所述氣路通過所述孔洞在所述承載面上形成氣浮層；所述水路對所述氣路進行熱交換。在本發明提供的溫度控制裝置中，氣路通過所述孔洞形成的氣浮層，可以控制放置于基座承載面上的硅片的溫度；水路可以對氣路進行熱交換，而且水路和氣路位于同一個基座內，可以增加水路對氣路的熱交換的效率。

技術領域

本發明涉及光刻技術領域，尤其涉及一種溫度控制裝置。

背景技術

在光刻設備中，硅片傳送系統不僅需要以較高的定心定向精度將硅片傳送到光刻機內部，還要保持硅片的溫度穩定，硅片在工藝處理時，其本體溫度會受到影響，硅片的外形尺寸由于溫度不穩定會產生變化，從而導致預對準精度下降，并且硅片形貌的不穩定在光刻機光刻時會嚴重影響良率。因此在硅片傳送系統內引入硅片溫度控制裝置是必要的。

現有技術，在硅片傳送時的溫度控制裝置包括氣浮盤和水冷盤，氣浮盤與水冷盤采用分體式連接，氣浮盤里包括正壓氣道，通過氣浮技術穩定硅片的溫度，水冷盤里流通有冷卻水，通過導熱材料對氣浮層的氣體進行熱交換。此裝置有以下幾個缺點：一是，此裝置由于氣浮層和水冷層分在兩個盤體，水冷層對氣浮層換熱效率不高導致對硅片溫度的控制效率不高且整個裝置體積大結構復雜；二是，此控制裝置表面的節氣孔是均勻分布，而裝置自身有部分材料去除造成的通孔，最終造成通孔附近的硅片的溫度與其他地方的硅片的溫度不一致。因此需要提供一種對硅片溫度控制效率更高且使硅片溫度更均勻的溫度控制裝置。

發明內容

本發明的目的在于提供一種溫度控制的裝置，提高硅片溫度的控制效率。

為了達到上述目的，本發明提供了一種溫度控制裝置，所述溫度控制裝置包括：基座、位于所述基座內的水路和氣路；所述基座的一承載面上具有多個孔洞，所述氣路通過所述孔洞在所述承載面上形成氣浮層；所述水路對所述氣路進行熱交換。

可選的，在所述的溫度控制裝置中，靠近所述通孔位置的孔洞的密度大于遠離所述通孔位置的孔洞的密度。

可選的，在所述的溫度控制裝置中，所述氣浮層的厚度為15微米到22微米。

可選的，在所述的溫度控制裝置中，所述水路存儲有冷卻水或冷凍水，所述冷卻水或冷凍水對所述氣路進行熱交換。

可選的，在所述的溫度控制裝置中，所述氣路包括多條子氣路，多條所述子氣路的入口分別設置在所述基座的外側壁上。

可選的，在所述的溫度控制裝置中，所述水路包括多條子水路，所述子水路和所述子氣路對應，多條所述子水路的入口分別設置在所述基座的外側壁上。

可選的，在所述的溫度控制裝置中，所述溫度裝置還包括多個氣密件，一條所述子氣路通過一個所述氣密件密封。

可選的，在所述的溫度控制裝置中，所述溫度裝置還包括多個水密件，一條所述子水路通過一個所述水密件密封。

可選的，在所述的溫度控制裝置中，所述溫度控制裝置還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器分布于所述基座的承載面上，所述溫度傳感器用以感測放置在所述基座承載面上的硅片的溫度。

可選的，在所述的溫度控制裝置中，所述基座呈圓盤形狀，所述基座的厚度小于或等于30mm。

在本發明提供的溫度控制裝置中，氣路通過所述孔洞形成的氣浮層，可以控制放置于基座承載面上的硅片的溫度；水路可以對氣路進行熱交換，而且水路和氣路位于同一個基座內，既可以減小整個裝置的體積，又可以增加水路對氣路的熱交換的效率。

附圖說明

圖1是本發明實施例一的溫度控制裝置的結構示意圖；

圖2是本發明實施例一的溫度控制裝置的橫截面結構示意圖；