[發明專利]溫度控制裝置有效
| 申請號： | 201810277221.1 | 申請日： | 2018-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN110323150B | 公開（公告）日： | 2021-12-31 |
| 發明（設計）人： | 王邵玉;陶洪建 | 申請（專利權）人： | 上海微電子裝備（集團）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溫度 控制 裝置 | ||
1.一種溫度控制裝置，其特征在于，所述溫度控制裝置包括：基座、位于所述基座內的水路和氣路；所述基座的一承載面上具有多個孔洞，所述氣路通過所述孔洞在所述承載面上形成氣浮層；所述水路對所述氣路進行熱交換；所述水路部分向上凸起，所述氣路部分向下凸起，并且所述水路的凸起部分與所述氣路的凸起部分相互交錯。
2.如權利要求1所述的溫度控制裝置，其特征在于，所述基座上開有通孔，靠近所述通孔位置的孔洞的密度大于遠離所述通孔位置的孔洞的密度。
3.如權利要求1所述的溫度控制裝置，其特征在于，所述氣浮層的厚度為15微米到22微米。
4.如權利要求1所述的溫度控制裝置，其特征在于，所述水路存儲有冷卻水，所述冷卻水對所述氣路進行熱交換。
5.如權利要求1所述的溫度控制裝置，其特征在于，所述氣路包括多條子氣路，多條所述子氣路的入口分別設置在所述基座的外側壁上。
6.如權利要求5所述的溫度控制裝置，其特征在于，所述水路包括多條子水路，所述子水路和所述子氣路一一對應，多條所述子水路的入口分別設置在所述基座的外側壁上。
7.如權利要求6所述的溫度控制裝置，其特征在于，所述溫度裝置還包括多個氣密件，一條所述子氣路通過一個所述氣密件密封。
8.如權利要求6所述的溫度控制裝置，其特征在于，所述溫度裝置還包括多個水密件，一條所述子水路通過一個所述水密件密封。
9.如權利要求1所述的溫度控制裝置，其特征在于，所述溫度控制裝置還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器分布于所述基座的承載面上，所述溫度傳感器用以感測放置在所述基座承載面上的硅片的溫度。
10.如權利要求1所述的溫度控制裝置，其特征在于，所述基座呈圓盤形狀，所述基座的厚度小于或等于30mm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
