[發明專利]圖像傳感器在審
| 申請號: | 201810275410.5 | 申請日: | 2018-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN108695350A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發明(設計)人: | 尹湞斌;沈殷燮;李景鎬;崔成浩;樸正勛;林政昱;鄭閔至 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電轉換元件 圖像傳感器 像素晶體管 微透鏡 浮置擴散區域 第二區域 第一區域 像素區域 襯底 配置 | ||
提供了一種圖像傳感器。所述圖像傳感器可以包括:襯底,包括第一、第二、第三和第四區域;第一區域中的第一光電轉換元件;第二區域中的第二光電轉換元件;第三區域中的第三光電轉換元件;第四區域中的第四光電轉換元件;第一微透鏡,至少部分地與第一光電轉換元件和第二光電轉換元件兩者重疊;以及第二微透鏡,至少部分地與第三光電轉換元件和第四光電轉換元件兩者重疊。所述圖像傳感器也可以包括浮置擴散區域和被配置為執行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶體管。所述第一、第二和第三像素晶體管中的每一個可以設置在第一、第二、第三和第四像素區域的至少一個中。所述第一像素晶體管可以包括多個第一像素晶體管。
相關申請的交叉引用
本申請要求2017年4月7日在韓國知識產權局遞交的韓國專利申 請No.10-2017-0045155的優先權,其全部內容通過引用合并于本文。
技術領域
本發明構思總體上涉及電子領域,并且更具體地涉及圖像傳感器。
背景技術
圖像傳感器是將光學圖像轉換為電信號的傳感器。近來,隨著計 算機產業和通信產業的發展,在數字相機、便攜式攝像機、個人通信 系統(PCS)、游戲設備、安全相機和醫用微型攝像頭等各種領域中, 對性能提高的圖像傳感器的需求日益增加。
圖像傳感器可以分類為例如電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器和 CMOS圖像傳感器。在CMOS圖像傳感器中,可以使用簡單的驅動機制, 并且可以將信號處理電路集成到單個芯片中,從而實現產品的小型化。 而且,CMOS圖像傳感器可以具有非常低的功耗,因此可以容易地應用 于具有有限電池容量的產品。另外,通過使用兼容的CMOS工藝技術可 以降低制造成本。因此,隨著技術的發展,可以實現高分辨率的CMOS 圖像傳感器在使用中正在迅速增加。
隨著半導體器件變得高度集成,圖像傳感器也變得高度集成。因 此,可以包括構成一個單位像素的多個像素和共享像素晶體管的一個 單位像素的共享結構可能是有益的。
發明內容
本發明構思的各方面可以提供能夠通過提供各種像素共享結構 來提高集成密度的圖像傳感器。
本發明構思的各方面還可以提供能夠通過為至少一個像素晶體 管提供多個晶體管來改善圖像傳感器的性能的圖像傳感器。
然而,本發明構思的各方面不限于本文中所闡述的。通過參考以 下給出的詳細描述,本發明構思的上述和其它方面對于本發明構思所 屬領域的普通技術人員將變得更加清楚。
根據本發明構思的一些實施例,提供了圖像傳感器。該圖像傳感 器可以包括:襯底,包括第一區域、在第一方向上與所述第一區域相 鄰設置的第二區域、在與所述第一方向交叉的第二方向上與所述第一 區域相鄰設置的第三區域、以及在所述第二方向上與所述第二區域相 鄰設置并且在所述第一方向上與所述第三區域相鄰設置的第四區域; 第一微透鏡,設置為在平面視圖中與所述第一區域和所述第二區域重 疊;第一光電轉換元件,設置在所述第一區域的第一像素區域中;第 二光電轉換元件,設置在所述第二區域的第二像素區域中。所述第一 微透鏡可以在所述平面視圖中至少部分地與所述第一光電轉換元件和 所述第二光電轉換元件兩者重疊。所述圖像傳感器還可以包括:第二 微透鏡,設置為在所述平面視圖中與所述第三區域和所述第四區域重 疊;第三光電轉換元件,設置在所述第三區域的第三像素區域中;第 四光電轉換元件,設置在所述第四區域的第四像素區域中。所述第二 微透鏡可以在所述平面視圖中至少部分地與所述第三光電轉換元件和 所述第四光電轉換元件兩者重疊。所述圖像傳感器還可以包括:第一 轉移柵極、第二轉移柵極、第三轉移柵極和第四轉移柵極,分別被配 置為控制由所述第一光電轉換元件、所述第二光電轉換元件、所述第 三光電轉換元件和所述第四光電轉換元件提供的第一信號、第二信號、 第三信號和第四信號的轉移;浮置擴散區域,被配置為接收所述第一 信號、所述第二信號、所述第三信號和所述第四信號中的任一個;以 及第一像素晶體管、第二像素晶體管和第三像素晶體管,被配置為執 行彼此不同的功能。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





