[發明專利]圖像傳感器在審
| 申請號: | 201810275410.5 | 申請日: | 2018-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN108695350A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發明(設計)人: | 尹湞斌;沈殷燮;李景鎬;崔成浩;樸正勛;林政昱;鄭閔至 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電轉換元件 圖像傳感器 像素晶體管 微透鏡 浮置擴散區域 第二區域 第一區域 像素區域 襯底 配置 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
襯底,包括第一區域、在第一方向上與所述第一區域相鄰設置的第二區域、在與所述第一方向交叉的第二方向上與所述第一區域相鄰設置的第三區域、以及在所述第二方向上與所述第二區域相鄰設置并且在所述第一方向上與所述第三區域相鄰設置的第四區域;
第一微透鏡,設置為在平面視圖中與所述第一區域和所述第二區域重疊;
第一光電轉換元件,設置在所述第一區域的第一像素區域中;
第二光電轉換元件,設置在所述第二區域的第二像素區域中,所述第一微透鏡在所述平面視圖中至少部分地與所述第一光電轉換元件和所述第二光電轉換元件兩者重疊;
第二微透鏡,設置為在所述平面視圖中與所述第三區域和所述第四區域重疊;
第三光電轉換元件,設置在所述第三區域的第三像素區域中;
第四光電轉換元件,設置在所述第四區域的第四像素區域中,所述第二微透鏡在所述平面視圖中至少部分地與所述第三光電轉換元件和所述第四光電轉換元件兩者重疊;
第一轉移柵極、第二轉移柵極、第三轉移柵極和第四轉移柵極,分別被配置為控制由所述第一光電轉換元件、所述第二光電轉換元件、所述第三光電轉換元件和所述第四光電轉換元件提供的第一信號、第二信號、第三信號和第四信號的轉移;
浮置擴散區域,被配置為接收所述第一信號、所述第二信號、所述第三信號和所述第四信號中的任一個;以及
第一像素晶體管、第二像素晶體管和第三像素晶體管,被配置為執行彼此不同的功能,所述第一像素晶體管、所述第二像素晶體管和所述第三像素晶體管中的每一個設置在第一像素區域、第二像素區域、第三像素區域和第四像素區域的至少一個中,所述第一像素區域、所述第二像素區域、所述第三像素區域和所述第四像素區域分別設置在所述第一區域、所述第二區域、所述第三區域和所述第四區域中,并且所述第一像素區域、所述第二像素區域、所述第三像素區域和所述第四像素區域彼此不同,
其中所述第一像素晶體管包括多個第一像素晶體管。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述襯底還包括在所述第二方向上與所述第三區域相鄰設置的第五區域、在所述第二方向上與所述第四區域相鄰設置并且在所述第一方向上與所述第五區域相鄰設置的第六區域、在所述第二方向上與所述第五區域相鄰設置的第七區域、以及在所述第二方向上與所述第六區域相鄰設置并且在所述第一方向上與所述第七區域相鄰設置的第八區域,
所述圖像傳感器還包括:
第三微透鏡,設置為在所述平面視圖中與所述第五區域和所述第六區域重疊;
第五光電轉換元件,設置在所述第五區域的第五像素區域中;
第六光電轉換元件,設置在所述第六區域的第六像素區域中,所述第三微透鏡在所述平面視圖中至少部分地與所述第五光電轉換元件和所述第六光電轉換元件兩者重疊;
第四微透鏡,設置為在所述平面視圖中與所述第七區域和所述第八區域重疊;
第七光電轉換元件,設置在所述第七區域的第七像素區域中;
第八光電轉換元件,設置在所述第八區域的第八像素區域中,所述第四微透鏡在所述平面視圖中至少部分地與所述第七光電轉換元件和所述第八光電轉換元件兩者重疊;以及
第五轉移柵極、第六轉移柵極、第七轉移柵極和第八轉移柵極,分別被配置為控制由所述第五光電轉換元件、所述第六光電轉換元件、所述第七光電轉換元件和所述第八光電轉換元件提供的第五信號、第六信號、第七信號和第八信號的轉移;
其中所述第五區域、所述第六區域、所述第七區域和所述第八區域分別包括第五像素區域、第六像素區域、第七像素區域和第八像素區域,并且所述第五像素區域、所述第六像素區域、所述第七像素區域和所述第八像素區域分別與所述第五區域、所述第六區域、所述第七區域和所述第八區域不同,以及
其中所述浮置擴散區域被配置為接收所述第一信號、所述第二信號、所述第三信號、所述第四信號、所述第五信號、所述第六信號、所述第七信號和所述第八信號中的任一個。
3.根據權利要求2所述的圖像傳感器,其中所述第一像素晶體管包括第四像素晶體管和第五像素晶體管,
其中所述第四像素晶體管設置在所述第一像素區域或所述第五像素區域中,以及
其中所述第五像素晶體管設置在所述第二像素區域、所述第五像素區域和所述第六像素區域的任一個中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





