[發明專利]半導體結構在審
| 申請號： | 201810273140.4 | 申請日： | 2018-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN109727954A | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發明（設計）人： | 王榮德;劉承勛;古進譽;龐德勛;王家樺;蔡佩杏;林柏瑺 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 密封環 半導體裝置 第一表面 第二表面 半導體穿孔 半導體結構 物理連接 安置 穿過 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
半導體裝置，其具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；
第一密封環，其安置在所述半導體裝置的所述第一表面上且與所述第一表面的邊緣相鄰；
第二密封環，其安置在所述半導體裝置的所述第二表面上且與所述第二表面的邊緣相鄰；以及
多個半導體穿孔，其穿過所述半導體裝置，其中所述多個半導體穿孔物理連接所述第一密封環及所述第二密封環。
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